公开(公告)号：CN107196636B

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN201710352131.X

申请日：2017-05-18

Applicant: 安徽大学

Inventor： 吴秀龙 ,  彭春雨 ,  杨志平 ,  蔺智挺 ,  黎轩 ,  李正平 ,  陈军宁

IPC: H03K19/003 ,  H03K19/0185

Abstract: 本发明公开了一种抑制单粒子瞬态效应的反相器，包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管以及第二PMOS管；第一NMOS管与第一PMOS管连接，第二NMOS管与第二PMOS管连接构成前后两级的反相器结构；其中，后一级反相器中的第二PMOS的源极接前一级反相器的输出，后一级的第二PMOS2和第二NMOS的输入接Vin，即前一级反相器的输入。该反相器可以进一步的减弱单粒子瞬态效应对反相器的干扰，同时电路驱动能力和电路的工作频率不受到影响。

公开(公告)号：CN106972850A

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201710124312.7

申请日：2017-03-03

Applicant: 安徽大学

Inventor： 吴秀龙 ,  彭春雨 ,  蔺智挺 ,  杨志平 ,  李正平 ,  黎轩 ,  陈军宁

IPC: H03K19/003 ,  H03K19/094

CPC classification number: H03K19/00315 ,  H03K19/094

Abstract: 本发明公开了一种具有抗单粒子瞬态效应的反相器，包括：第一与第二PMOS管以及一个NMOS管；其中：第一PMOS管的漏极连接第二PMOS管的源极，第一PMOS管的源极接到VDD，第二PMOS管的漏极接NMOS管的漏极，NMOS管的源极接到GND，第一与第二PMOS管以及NMOS管的栅极同接Vin端作为输入端，第二PMOS管的漏极和NMOS的漏极接Vout端作为输出端；第一与第二PMOS管的宽度均为2N，N为传统反相器中PMOS管的宽度。该方案可以具有较大抗干扰能力，在外界因素的干扰下，影响较小，从而提高了稳定性。

公开(公告)号：CN107196636A

公开(公告)日：2017-09-22

申请号：CN201710352131.X

申请日：2017-05-18

Applicant: 安徽大学

Inventor： 吴秀龙 ,  彭春雨 ,  杨志平 ,  蔺智挺 ,  黎轩 ,  李正平 ,  陈军宁

IPC: H03K19/003 ,  H03K19/0185

Abstract: 本发明公开了一种抑制单粒子瞬态效应的反相器，包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第一PMOS管以及第二PMOS管；第一NMOS管与第一PMOS管连接，第二NMOS管与第二PMOS管连接构成前后两级的反相器结构；其中，后一级反相器中的第二PMOS的源极接前一级反相器的输出，后一级的第二PMOS2和第二NMOS的输入接Vin，即前一级反相器的输入。该反相器可以进一步的减弱单粒子瞬态效应对反相器的干扰，同时电路驱动能力和电路的工作频率不受到影响。