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公开(公告)号：CN119595732B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN202510160172.3
申请日：2025-02-13
Applicant: 安徽大学
IPC: G01N27/406 , A61B5/08 , A61B5/145 , A61B5/1468
Abstract: 本发明公开一种基于氢键有机框架的自供电柔性湿度传感器及制备方法与应用，包括对称电极、位于对称电极一侧的HOF/CNF电解质膜和位于对称电极另一侧的HOF/CNF/NaCl电解质膜，所述HOF/CNF电解质膜与HOF/CNF/NaCl电解质膜相接触；所述对称电极为Ti3C2Tx‑MXene电极，HOF为以1,2,4,5‑四(4‑羧基苯基)苯为前驱体合成的氢键有机框架材料。本发明的自供电柔性湿度传感器，通过调控盐离子浓度实现了渗透能向电能的转换，展现出良好的灵活性、低迟滞特性，具有0.17μA/% RH的高灵敏度，1.06 s的快速响应时间以及200多次循环的稳定性。
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公开(公告)号：CN119650887A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411626888.X
申请日：2024-11-14
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明提供一种复合材料PTCDA/Ti3C2Tx MXene负极应用于水系锰离子电池。其中MXene具有稳定的二维层状结构，PTCDA可用于在充放电期间进行锰离子的存储，在PTCDA插层进入MXene中，PTCDA和MXene两者之间相互作用，显著提升了电极的电子电导率和离子扩散系数，从而实现了在可充电水系锰离子电池负极中的快速离子扩散动力学和高循环稳定性，这使得电极具备高可逆比容量和长循环寿命，展现出卓越的电化学性能。本发明的PTCDA/Ti3C2Tx MXene负极应用于水系锰离子电池时，在0.5A g‑1的电流密度下，提供了199mAh g‑1的高可逆容量，并且具有出色的循环稳定性，在10A g‑1的电流密度下，1000次充放电循环后容量保持率达82%。
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公开(公告)号：CN119634202A
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202510161779.3
申请日：2025-02-14
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开一种芳纶纳米纤维界面层修饰的锌金属材料及其作为水系锌离子电池负极材料的应用，属于新材料和锌离子电池技术领域，制备方法包括步骤：（1）采用无水乙醇通过超声清洗锌箔表面，干燥，获得预处理锌箔；（2）将芳纶纳米纤维溶液均匀刮涂在预处理锌箔上，通风干燥，获得表面有芳纶纳米纤维界面层修饰的锌金属材料。本发明通过构筑疏水、亲锌、三维多孔的界面层来隔绝水分子与锌金属的直接接触，增强Zn2+输运动力学，均匀锌离子通量，从而减少水致副反应的发生，抑制锌枝晶的形成和生长，使锌金属材料表现出优异的稳定性，具有极大的发展潜力和应用前景。
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公开(公告)号：CN119300433A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411775153.3
申请日：2024-12-05
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种纵向导通常关型金刚石功率晶体管及其制备方法，涉及半导体功率器件技术领域。其包括以下结构：p型低阻金刚石单晶衬底；p型高阻金刚石漂移层一，位于p型低阻金刚石单晶衬底的上表面；p型低阻金刚石插入层，位于p型高阻金刚石漂移层一的上表面；p型高阻金刚石漂移层二，位于p型低阻金刚石插入层的上表面；p型低阻金刚石帽层，位于p型高阻金刚石漂移层二的上表面，以及欧姆接触电极、栅介质层和肖特基栅电极。本发明提供的晶体管带有多层结构的复合外延层，其中低阻插入层可以实现降低导通电阻并提高阈值电压；高阻漂移层可以承受较高的电压。
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公开(公告)号：CN118524714B
公开(公告)日：2024-09-24
申请号：CN202410977267.X
申请日：2024-07-22
Applicant: 安徽大学
IPC: H10K30/10 , H10K30/60 , H10K30/81 , H10K71/10 , H10K71/60 , H10K85/50 , C01B32/921 , C30B29/54 , C30B7/14
Abstract: 本发明公开一种高稳定性的钙钛矿单晶光电探测器及制备方法与应用，属于新材料制备及光电子器件领域。本发明采用逆温结晶法合成MAPbI3钙钛矿单晶，并且以Ti3C2TX和C作为电极，形成肖特基接触型光电探测器；该光电探测器不含有衬底。本发明无需衬底支撑，方法简单、成本低廉；其次，非金属电极避免了钙钛矿中的卤素离子和金属电极反应从而影响器件性能，有利于提高钙钛矿单晶器件的稳定性；同时肖特基结形成了内建电场，可以在无偏压条件下使光生载流子分离，因此该器件可以工作在自驱动模式，从而为发展便携式、无线、低功耗的钙钛矿基探测器具有推动作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118150854A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410292820.6
申请日：2024-03-14
Applicant: 安徽大学
Abstract: 一种用于石英挠性加速度计伺服电路的全密封结构，包括陶瓷基板构件、金属管壳构件及伺服电路封装构件；陶瓷基板构件用于设置石英挠性加速度计伺服电路；金属管壳构件用于将陶瓷基板构件与石英挠性加速度计表头装配一体；伺服电路封装构件为设置于金属管壳构件内部的异形金属封闭腔体，异形金属封闭腔体用于容纳陶瓷基板构件且保持气密性。本发明能够显著提高石英挠性加速度计伺服电路和石英挠性加速度计使用寿命及长期可靠性，并具有良好的兼容性和普适性。
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公开(公告)号：CN117729826B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202311679424.0
申请日：2023-12-08
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了一种MXene掺杂的钙钛矿单晶及其同质结光电探测器制备方法。本发明采用全溶液法制备同质结，包括采用化学溶液刻蚀法制备MXene‑DMF悬浮液，逆温度结晶法生长未掺杂的钙钛矿单晶，溶液外延法生长MXene掺杂的钙钛矿单晶。本发明方法简单、成本低廉，适合规模化生产；其次，同质结避免了钙钛矿异质结中卤素原子的交换位移，有利于提高钙钛矿单晶器件的稳定性；同时同质结形成了内建电场，可以在无偏压条件下使光生载流子分离，因此该同质结器件可以工作在自驱动模式，从而为发展便携式、无线、低功耗的钙钛矿基探测器具有推动作用。
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公开(公告)号：CN118032889A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410045240.7
申请日：2024-01-11
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明提供一种用于检测铵根离子的二维‑三维复合电极、其制备方法、封装方法与应用。复合电极形成Si/Ag/Zn/ZIF‑8/Cu3(HHTP)2‑MXene结构。复合电极的制备方法包括：制备Si/Ag结构；制备Si/Ag/Zn结构；Cu3(HHTP)2的制备；MXene的制备；制备Si/Ag/Zn/ZIF‑8/Cu3(HHTP)2‑MXene复合电极。基于该复合电极检测铵根离子时，电极中的ZIF‑8与Cu3(HHTP)2作为具有大比表面积的多孔材料，大大增强了离子富集的效率；MXene具有优异的导电性，加速了电子传输；对铵根离子浓度检测的线性范围为10nM～100μM，检测限为2.0×10‑9M，灵敏度为2.416×10‑4mA·μM‑6。本发明的二维‑三维复合电极的汗液监测芯片可集成于智能可穿戴设备中，从而应用于人工智能技术装备中，实现对于人体生态系统相关数据尤其是汗液中铵根离子的实时监测。
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公开(公告)号：CN115161027B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202210782601.7
申请日：2022-07-05
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明公开了钙钛矿埋底界面材料、制备方法及应用，所述钙钛矿埋底界面材料MXene/SnO2QDs具有纳米级的量子点结构；MXene/SnO2QDs包括Ti3C2TXMXene QDs和SnO2QDs，Ti3C2TX MXene QDs的Ti元素分散在SnO2QDs的基底表面，Sn、O、Ti和C元素的含量分别为20‑25％、70‑75％、1‑2％和0‑1％。本发明有效地提高了器件的导电性、稳定性以及各项性能，显著降低了钙钛矿层的缺陷与空位。为钙钛矿器件的发展提供了新思路，在未来的通信、航天、农业等领域的探测等方面有着广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN116666465A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310633527.7
申请日：2023-05-31
Applicant: 安徽大学
IPC: H01L31/0236 , H01L31/108 , H01L31/0336 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种MXene/金字塔结构硅衬底光电探测器，其包括具有金字塔结构的硅基底和覆盖在硅基底上表面的MXene薄膜，MXene薄膜的覆盖面积为硅基底上表面的5％‑75％，在未覆盖有MXene薄膜的硅基底上表面设置InGa电极，InGa电极与MXene薄膜不接触；所述金字塔结构尺寸不同交错排列，MXene与金字塔结构的硅形成肖特基结。本发明提供一种简单且可重复的碱性溶液水浴加热的方式得到金字塔结构硅基底的方法和使用低成本滴涂的方式将MXene转移到金字塔结构硅基底上制作MXene/金字塔结构硅衬底的光电探测器。这种具有自供电且性能优越的光电探测器，为基于MXene/Si肖特基结结构在光电探测器中的应用开拓了前景。
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