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公开(公告)号：CN118984155A
公开(公告)日：2024-11-19
申请号：CN202411456672.3
申请日：2024-10-18
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明涉及电荷泵锁相环设计技术领域，具体涉及基于MTJ的自适应温度补偿电荷泵锁相环电路、模块。本发明提供了基于MTJ的自适应温度补偿电荷泵锁相环电路，包括：鉴频鉴相部、电荷泵部、低通滤波部、压控振荡部、分频部。本发明在传统电荷泵锁相环的基础上，一方面在电荷泵部的上、下充放电路串联了磁隧道结MTJ，另一方面在双端输入、双端输出的压控振荡部的输出端也串联了磁隧道结MTJ；利用磁隧道结MTJ来进行温度补偿，有效得减少了电荷泵的电流失配，并使压控振荡器的频率稳定性得到大幅度的提升，保证并提升了CPPLL的使用效果。本发明解决了CPPLL易受到片上系统温度变化影响的问题。
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公开(公告)号：CN119296609B
公开(公告)日：2025-03-07
申请号：CN202411832795.2
申请日：2024-12-13
Applicant: 安徽大学
IPC: G11C11/419 , G06N3/063 , G06F15/78
Abstract: 本申请涉及一种8T‑SRAM存算单元、存内计算阵列和存内计算电路，其中，该存内计算阵列包括：包括行分布的单元阵列和双极性计算单元，单元阵列包括行分布的多个8T‑SRAM存算单元，双极性计算单元包括第一反相器、第二反相器、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第一电容和第二电容，第一反相器的输出端连接第二反相器的输入端，第七NMOS管的栅极、漏极和源极分别连接第一反相器的输出端、第一电容的上极板和第八NMOS管的漏极，第九NMOS管的栅极、漏极和源极分别连接第二反相器的输出端、第二电容的上极板和第十NMOS管的漏极，第一电容和第二电容分别还连接第一计算位线和第二计算位线。
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公开(公告)号：CN119296609A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202411832795.2
申请日：2024-12-13
Applicant: 安徽大学
IPC: G11C11/419 , G06N3/063 , G06F15/78
Abstract: 本申请涉及一种8T‑SRAM存算单元、存内计算阵列和存内计算电路，其中，该存内计算阵列包括：包括行分布的单元阵列和双极性计算单元，单元阵列包括行分布的多个8T‑SRAM存算单元，双极性计算单元包括第一反相器、第二反相器、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第一电容和第二电容，第一反相器的输出端连接第二反相器的输入端，第七NMOS管的栅极、漏极和源极分别连接第一反相器的输出端、第一电容的上极板和第八NMOS管的漏极，第九NMOS管的栅极、漏极和源极分别连接第二反相器的输出端、第二电容的上极板和第十NMOS管的漏极，第一电容和第二电容分别还连接第一计算位线和第二计算位线。
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公开(公告)号：CN118887985A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410897971.4
申请日：2024-07-05
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明涉及集成电路设计技术领域，具体公开了一种基于独热码的数据搜索存储器、芯片及应用。本发明的基于独热码的数据搜索存储器包括：MTJ存储阵列、预充电路部、M个预充控制部、M个读写控制部、数据编码器、开多行译码器、M个灵敏放大器、列选择器、时序控制器。本发明采用了由磁隧道结器件、NMOS管组成的存储单元所构建的MTJ存储阵列，降低了器件数量，提高了限定面积下的存储密度。本发明通过在MTJ存储阵列设置预充控制部、读写控制部，并利用灵敏放大器的输出对预充控制部进行反馈，从而在并行分段查找操作过程中对预充电路部进行功能限制，减少了CAM工作中预充电路部工作次数，能够显著减少CAM电路功耗。
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