公开(公告)号：CN108336992A

公开(公告)日：2018-07-27

申请号：CN201810019058.9

申请日：2018-01-09

Applicant: 安徽大学

Inventor： 彭春雨 ,  刘畅咏 ,  吴秀龙 ,  蔺智挺 ,  黎轩 ,  陈军宁

IPC: H03K19/0185

Abstract: 本发明公开了一种具有抗单粒子瞬态效应的缓冲器，包括：依次连接多级的反相器，所有反相器均包括三个PMOS管和三个NMOS管；其中：第一PMOS管的源端接VDD；第一PMOS管的漏端接第二PMOS管的源端和第一NMOS管的漏端，这一节点记为第一输出节点；第二PMOS管的漏端接第三PMOS管的源端和第二NMOS管的漏端；第三PMOS管的漏端接第三NMOS3管的漏端，记为第二输出节点；第一、第二与第三NMOS管的源端均接VSS；第一级反相器三个PMOS管和三个NMOS管的栅端都接输入n1；上一级反相器的第一输出节点接下一级反相器中三个PMOS管的栅端，上一级反相器的第二输出节点接下一级反相器中三个NMOS管的栅端。该缓冲器可以避免单粒子瞬态效应对整个电路的影响，从而提高稳定性。

公开(公告)号：CN108336992B

公开(公告)日：2021-09-14

申请号：CN201810019058.9

申请日：2018-01-09

Applicant: 安徽大学

Inventor： 彭春雨 ,  刘畅咏 ,  吴秀龙 ,  蔺智挺 ,  黎轩 ,  陈军宁

IPC: H03K19/0185

Abstract: 本发明公开了一种具有抗单粒子瞬态效应的缓冲器，包括：依次连接多级的反相器，所有反相器均包括三个PMOS管和三个NMOS管；其中：第一PMOS管的源端接VDD；第一PMOS管的漏端接第二PMOS管的源端和第一NMOS管的漏端，这一节点记为第一输出节点；第二PMOS管的漏端接第三PMOS管的源端和第二NMOS管的漏端；第三PMOS管的漏端接第三NMOS3管的漏端，记为第二输出节点；第一、第二与第三NMOS管的源端均接VSS；第一级反相器三个PMOS管和三个NMOS管的栅端都接输入n1；上一级反相器的第一输出节点接下一级反相器中三个PMOS管的栅端，上一级反相器的第二输出节点接下一级反相器中三个NMOS管的栅端。该缓冲器可以避免单粒子瞬态效应对整个电路的影响，从而提高稳定性。