公开(公告)号：CN119160956A

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202411350831.1

申请日：2024-09-26

Applicant: 安徽大学

Inventor： 祝鑫宇 ,  侯文萱 ,  张惠 ,  吴伟 ,  汪保军 ,  张涵俣

IPC: C01G53/11 ,  C01G39/06 ,  H05K9/00

Abstract: 本发明提供NiSx/MoS2复合材料、制备方法及应用，涉及电磁微波材料技术领域，由钼源、镍源制备的Ni‑Mo前驱体纳米片自组装形成3D纳米花球，3D纳米花球与硫源经硫化反应制备得到，NiSx/MoS2复合材料为NiS/MoS2复合材料或NiS/NiS2/MoS2复合材料；制备方法包括：S1、将钼源、镍源和六亚甲基四胺溶解在水中，充分搅拌，得到均匀溶液；S2、溶液进行水热反应，取出沉淀物进行洗涤干燥处理，制得Ni‑Mo前驱体；S3、将Ni‑Mo前驱体与硫源进行退火处理，制得NiSx/MoS2复合材料。硫化过程中，伴随着非均相成形和表面电荷的剧烈移动，多重异质界面和硫空位等缺陷引发强烈的极化效应，显著提高了NiSx/MoS2复合材料的极化损耗能力，将其应用于电磁波吸收领域，有利于电磁波的多次反射和散射，提高了电磁波吸收效率。