公开(公告)号：CN114337611B

公开(公告)日：2025-04-11

申请号：CN202111517128.1

申请日：2021-12-13

Applicant: 安徽大学

Inventor： 闫爱斌 ,  位少杰 ,  李志星 ,  崔杰 ,  周勇 ,  倪天明 ,  黄正峰

IPC: H03K3/356

Abstract: 本发明涉及一种基于循环反馈C单元的三节点翻转自恢复锁存器，包括双循环结构存储模块和四个传输门，双循环结构存储模块由十二个二输入C单元组成，包括第一C单元CE1至第十二C单元CE12；所述四个传输门包括第一传输门TG1至第四传输门TG4；四个传输门的信号输入端均作为锁存器的数据输入端D，所述第五C单元CE5的输出端作为锁存器的数据输出端。本发明可靠性高，可容忍任意三节点翻转并且可自恢复；使用较少MOS管，降低了面积和功耗开销，并且提升了锁存器容忍能力，具有更为优越的性能；具有低延迟性，由于透明模式下，输入端与输入端之间只有一个传输门，所以本发明建立了更为高效的路径，因此传输延迟低。

公开(公告)号：CN115800990A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202211448884.8

申请日：2022-11-18

Applicant: 安徽大学

Inventor： 闫爱斌 ,  夏凡 ,  位少杰 ,  申震 ,  崔杰 ,  倪天明 ,  黄正峰

IPC: H03K19/003 ,  H03K19/00

Abstract: 本发明主要是为了解决现有的自恢复锁存器面积开销大、功耗高、难以实现双节点同时自恢复的问题，公开了一种基于七个C单元的双节点翻转自恢复锁存器，包括双循环结构存储模块和三个传输门，所述双循环结构存储模块由七个二输入C单元和两个反相器组成。本发明具有高可靠性，可容忍任意双节点翻转并且可完全自恢复，提升了锁存器容忍能力；使用较少MOS管，降低了面积开销和功耗开销；输入端与输出端之间只有一个传输门，路径更为高效，降低了传输时延。

公开(公告)号：CN114337611A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202111517128.1

申请日：2021-12-13

Applicant: 安徽大学

Inventor： 闫爱斌 ,  位少杰 ,  李志星 ,  崔杰 ,  周勇 ,  倪天明 ,  黄正峰

IPC: H03K3/356

Abstract: 本发明涉及一种基于循环反馈C单元的三节点翻转自恢复锁存器，包括双循环结构存储模块和四个传输门，双循环结构存储模块由十二个二输入C单元组成，包括第一C单元CE1至第十二C单元CE12；所述四个传输门包括第一传输门TG1至第四传输门TG4；四个传输门的信号输入端均作为锁存器的数据输入端D，所述第五C单元CE5的输出端作为锁存器的数据输出端。本发明可靠性高，可容忍任意三节点翻转并且可自恢复；使用较少MOS管，降低了面积和功耗开销，并且提升了锁存器容忍能力，具有更为优越的性能；具有低延迟性，由于透明模式下，输入端与输入端之间只有一个传输门，所以本发明建立了更为高效的路径，因此传输延迟低。