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公开(公告)号：CN119937706A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510068721.4
申请日：2025-01-16
Applicant: 安徽大学
IPC: G05F1/56
Abstract: 本发明属于模拟电路领域，具体涉及一种抗单粒子瞬态效应的带隙基准电路及其芯片。该方案包括：基准电压产生电路、脉宽加固电路和输出电路。其中，脉宽加固电路包括连接在基准电压产生电路中的关键节点上的两级反相器和传输管；该电路可以通过电荷耗散原理加速恢复由单粒子瞬态效应导致的基准电压产生电路的异常状态，并作为基准电压产生电路的启动电路。输出电路连接在基准电压产生电路的输出节点上，并通过施密特触发器或比较器等器件检测基准电压产生电路产生的输出信号的脉冲幅度，进而切断输出的带隙基准电压信号中超过安全阈值的部分。本发明解决了现有带隙基准电路的输出稳定性受单粒子瞬态效应影响较大，难以辐射环境下正常工作的问题。
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