介质陶瓷组合物,其制造方法,采用该组合物的介质陶瓷和层压陶瓷部件

    公开(公告)号:CN1791562A

    公开(公告)日:2006-06-21

    申请号:CN200480013842.5

    申请日:2004-05-19

    Abstract: 本发明公开了层压陶瓷部件,其相对介电常数εr为15-25使得能形成具有合适尺寸,能在低于可通过同时烧结从而内封装并层压Cu或Ag的低电阻导体的800-1000℃的温度下烧结,并具有低介电损耗tanδ(高Q值),并且共振频率的温度系数τf绝对值不大于50ppm/℃。所述介质陶瓷组合物基于100重量份通式为x’Zn2TiO4-(1-x’-y’)ZnTiO3-y’TiO2的主成分,其中0.15<x’<0.8且0≤y’≤0.2,含有3-30重量份无铅低熔点玻璃,所述低熔点玻璃含有50-75重量%的ZnO,5-30重量%的B2O3,6-15重量%的SiO2,0.5-5重量%的Al2O3,以及3-10重量%的BaO。

    介质陶瓷组合物、介质陶瓷和含有介质陶瓷的层压陶瓷部件

    公开(公告)号:CN1307122C

    公开(公告)日:2007-03-28

    申请号:CN200480002832.1

    申请日:2004-01-20

    Abstract: 本发明提供介质陶瓷组合物,通过与低电阻导体例如银或铜的同时烧结,其可以在约800-1000℃的温度烧结从而使得可以内插低电阻导体并与其多层化,并且其烧结形成介电常数εr为10以下的介质陶瓷、和Q×f0值大且共振频率f0的温度系数τf的绝对值为20ppm/℃以下且该值容易控制的谐振器。基于100重量份的通式:aZnAl2O4-bZn2SiO4-cTiO2-dZn2TiO4表示的主成分,所述介质陶瓷组合物含有5-150重量份的玻璃成分,其中各成分的摩尔分数a、b、c和d满足5.0≤a≤80.0摩尔%,5.0≤b≤70.0摩尔%,5.0≤c≤27.5摩尔%,0≤d≤30.0摩尔%(a+b+c+d=100摩尔%)。

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