公开(公告)号：CN1290309A

公开(公告)日：2001-04-04

申请号：CN99802648.4

申请日：1999-12-07

Applicant: 学校法人浦项工科大学校

Inventor： 李时雨 ,  韩镐 ,  姜相宇

IPC: C23C18/38

CPC classification number: C23C16/18 ,  C07F1/08

Abstract: 本发明的一种通式(Ⅰ)的有机亚铜化合物可以方便地在低温CVD方法中用于大量生产无污染物的具有良好热稳定性的铜膜,其中:R1,R2和R3各自独立地为C1－8烷基、C1－8烷氧基、芳基或芳氧基,R4和R5各自独立地为氢、氟、CnF2n+1或CnH2n+1基团,n是1到6的整数,R6是氢、氟或C1－4烷基,并且m是1或2,当m是1时,C=C代表C≡C,而当m是2时,C=C代表C=C。

公开(公告)号：CN1194117C

公开(公告)日：2005-03-23

申请号：CN99802648.4

申请日：1999-12-07

Applicant: 学校法人浦项工科大学校

Inventor： 李时雨 ,  韩镐 ,  姜相宇

IPC: C23C18/38

CPC classification number: C23C16/18 ,  C07F1/08

Abstract: 本发明的一种通式(I)的有机亚铜化合物可以方便地在低温CVD方法中用于大量生产无污染物的具有良好热稳定性的铜膜：其中：R1，R2和R3各自独立地为C1-8烷基、C1-8烷氧基、芳基或芳氧基，R4和R5各自独立地为氢、氟、CnF2n+1或CnH2n+1基团，n是1到6的整数，R6是氢、氟或C1-4烷基，并且m是1或2，当m是1时，CC代表C≡C，而当m是2时，CC代表C＝C。