公开(公告)号：CN105027262B

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201480012830.4

申请日：2014-03-04

Applicant: 学校法人名城大学

Inventor： 竹内哲也 ,  铃木智行 ,  笹岛浩希 ,  岩谷素顕 ,  赤崎勇

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B25/16 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L33/32 ,  C23C16/303 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075

Abstract: 本发明制作一种在低温下为高品质的氮化物半导体晶体。该氮化物半导体晶体通过将作为原料的Ⅲ族元素以及/或者其化合物、氮元素以及/或者其化合物、Sb元素以及/或者其化合物供给到基板(105)上，从而使至少一层以上的氮化物半导体膜(104)气相成长而被制备出，其中，在至少一层以上的氮化物半导体晶体膜(104)中，其成长过程中的Sb元素相对于氮元素的供给比为0.004以上。

公开(公告)号：CN105027262A

公开(公告)日：2015-11-04

申请号：CN201480012830.4

申请日：2014-03-04

Applicant: 学校法人名城大学

Inventor： 竹内哲也 ,  铃木智行 ,  笹岛浩希 ,  岩谷素顕 ,  赤崎勇

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/34 ,  C30B25/16 ,  C30B29/38

CPC classification number: H01L33/32 ,  C23C16/303 ,  C30B25/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02549 ,  H01L21/0262 ,  H01L33/0075

Abstract: 本发明制作一种在低温下为高品质的氮化物半导体晶体。该氮化物半导体晶体通过将作为原料的Ⅲ族元素以及/或者其化合物、氮元素以及/或者其化合物、Sb元素以及/或者其化合物供给到基板(105)上，从而使至少一层以上的氮化物半导体膜(104)气相成长而被制备出，其中，在至少一层以上的氮化物半导体晶体膜(104)中，其成长过程中的Sb元素相对于氮元素的供给比为0.004以上。