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公开(公告)号：CN101645309B
公开(公告)日：2013-05-22
申请号：CN200810021556.3
申请日：2008-08-05
Applicant: 威刚科技(苏州)有限公司 , 威刚科技股份有限公司
CPC classification number: G11C16/349 , G06F12/0246 , G06F2212/7211 , G11C16/3495
Abstract: 本发明公开了一种非挥发性存储装置及其控制方法，特别的提供了一种在快闪存储装置中执行损耗平衡的方法和设备。本发明统计所有记忆区块的抹除次数，以掌控记忆区块被抹除次数的分布情况，再利用标准差决定执行静态抹除平均的时机与程度，藉此避免过度执行静态抹除平均而影响快闪存储器的供存取速率以及应有的寿命。再者，通过纪录快闪存储器的总抹除次数与记忆区块的抹除时间记号，可正确判断出存储静态资料的记忆区块，进而将静态资料搬移至抹除次数较高的空记忆区块，将原存储静态资料的记忆区块释放，可避免不当的静态抹除动作的发生。
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公开(公告)号：CN101271730A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200710129461.9
申请日：2007-07-17
Applicant: 威刚科技股份有限公司
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/1036 , G06F2212/7208 , G06F2212/7211 , G11C11/56 , G11C2211/5641
Abstract: 本发明公开了一种具混合密度内存的内存系统。所述的内存系统包括有多个具不同抹除耐用次数的记忆储存空间，以及对应该记忆储存空间与其抹除耐用次数所预设的权值。其中该系统在执行对一记忆储存空间的特定储存区块作抹除的命令之后，依据该特定储存区块所属的记忆储存空间对应的权值，记录该次抹除的执行。借此，可使得分属不同密度的记忆储存空间尽可能同时到达抹除耐用次数。
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公开(公告)号：CN101271379A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200710165148.0
申请日：2007-11-01
Applicant: 威刚科技股份有限公司
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/1036 , G06F2212/7208 , G06F2212/7211 , G11C11/56 , G11C2211/5641
Abstract: 本发明揭示一种混合密度存储体储存装置的控制方法，适用于配置一混合密度存储体储存装置对应一文件系统的实体位置。此储存装置具有一高密度存储储存空间、一低密度存储储存空间及一热门清单，此热门清单适用于记录文件系统中的数个逻辑位置。此控制方法包括的步骤为，首先，接收一指令。随后，比对指令所指向的逻辑位置是否属于热门清单所记录的逻辑位置其中之一。最后，根据比对结果，指定高密度存储储存空间的实体位置或低密度存储储存空间的实体位置作为指令所指向的逻辑位置所对应的实体位置。
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公开(公告)号：CN101615420B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN200810126102.2
申请日：2008-06-26
Applicant: 威刚科技股份有限公司
Abstract: 一种闪存储存装置，是在对一闪存执行一复制回存程序时，进行数据修正功能，闪存具有至少一记忆单元及一记忆页缓冲区，而闪存控制器包括：一传输缓冲区、一错误修正单元、一修正信息暂存器及一微处理单元。微处理单元是在对闪存产生一复制记忆页的读取指令后，读取记忆页缓冲区的数据而暂存至传输缓冲区，进而控制错误修正单元检测及修正传输缓冲区的数据以产生一检测结果。最后依据检测结果中的一数据错误数量来产生相异的一烧录指令，以将修正后的数据烧录至记忆单元。以达到改善可靠度及存取效率的目的。
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公开(公告)号：CN101271730B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200710129461.9
申请日：2007-07-17
Applicant: 威刚科技股份有限公司
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/1036 , G06F2212/7208 , G06F2212/7211 , G11C11/56 , G11C2211/5641
Abstract: 本发明公开了一种具混合密度存储器的存储器系统。所述的存储器系统包括有多个具不同抹除耐用次数的存储储存空间，以及对应该存储储存空间与其抹除耐用次数所预设的权值。其中该系统在执行对一存储储存空间的特定储存区块作抹除的命令之后，依据该特定储存区块所属的存储储存空间对应的权值，记录该次抹除的执行。借此，可使得分属不同密度的存储储存空间尽可能同时到达抹除耐用次数。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101430923B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN200710166222.0
申请日：2007-11-06
Applicant: 威刚科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有温度控制功能的固态半导体储存装置及其应用系统与控制组件，其中固态半导体储存装置，包括一非易失性存储器单元、一温度感测组件及一控制单元。温度感测组件用于感测该固态半导体储存装置的操作温度，以提供温度感测信号给控制单元，而控制单元根据温度感测信号值判断固态半导体储存装置的操作温度，并执行对应程序，进而达到温度控制的目的。
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公开(公告)号：CN101599305B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200810109903.8
申请日：2008-06-04
Applicant: 威刚科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种具有数据修复功能的储存系统及其数据修复方法，主要是利用反复一或多次的测试与修复流程，使记忆媒体中的错误能降低至一般使用的错误侦测及校正(ECC)功能可以修复的范围，以确保资料读取的正确性，有效提升数据可靠度，其中数据修复步骤之较佳方式包括利用储存系统中的测试数据产生器提供一笔测试数据，并写入发生数据错误的记忆区块中，并通过读取其中数据来找到错误位，再通过修复程序使之能处于ECC技术可以修复的范围中，但是，若测试次数超过一测试的上限次数都无法找出错误位或无法将错误修复降低至错误侦测及校正技术可修复的范围，则将此记忆区块标记为损毁区块。
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公开(公告)号：CN101727400B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200810171683.1
申请日：2008-10-23
Applicant: 威刚科技股份有限公司
IPC: G06F12/06
Abstract: 本发明涉及一种混合密度存储系统的控制方法，其适用于在一主机与该存储系统之间数据的处理，其中主机具有多个逻辑区段的储存空间来存取数据，而存储系统具有一高密度存储器以及一低密度存储器，该高密度存储器中具有多个实体区段的储存空间来存取数据。所述的控制方法的步骤为首先，提供一低密度记忆分配表于该存储系统中的预定位置，用以记录低密度存储器的储存空间的配置信息；最后，根据数据的性质以及低密度记忆分配表的内容，将数据写至高密度存储器或低密度存储器中。
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公开(公告)号：CN101271379B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200710165148.0
申请日：2007-11-01
Applicant: 威刚科技股份有限公司
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/1036 , G06F2212/7208 , G06F2212/7211 , G11C11/56 , G11C2211/5641
Abstract: 本发明揭示一种混合密度存储体储存装置的控制方法，适用于配置一混合密度存储体储存装置对应一文件系统的实体位置。此储存装置具有一高密度存储储存空间、一低密度存储储存空间及一热门清单，此热门清单适用于记录文件系统中的数个逻辑位置。此控制方法包括的步骤为，首先，接收一指令。随后，比对指令所指向的逻辑位置是否属于热门清单所记录的逻辑位置其中之一。最后，根据比对结果，指定高密度存储储存空间的实体位置或低密度存储储存空间的实体位置作为指令所指向的逻辑位置所对应的实体位置。
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公开(公告)号：CN101739348A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200810178422.2
申请日：2008-11-26
Applicant: 威刚科技股份有限公司
IPC: G06F12/06
Abstract: 一种内存系统的控制方法，其适用于在一主机与该内存系统之间数据的处理，其中控制单元就主机地址划分多个逻辑区段的储存空间，以用来存取数据，而内存系统提供多个实体区段的储存空间来存取数据。所述的控制方法的步骤为首先，提供一主分配表记录于物理内存中的预定位置，用以记录逻辑区段与实体区段的地址的对应关系；在写入数据的过程中，依据实体区段的磨损率来调整逻辑区段与实体区段的地址的对应关系；最后，依据主分配表的内容将数据写至适当的实体区段。
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