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公开(公告)号：CN101615421B
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN200810126104.1
申请日：2008-06-26
Applicant: 威刚科技股份有限公司
Abstract: 一种多信道混合密度内存储存装置的控制方法，适用于存取一更新数据。此储存装置具有多个低密度记忆单元以及高密度记忆单元。所述的控制方法步骤如下：首先，判断更新数据的传输走向；随后，依据更新数据的传输走向使用不同错误更正能力的修正码进行编码或译码程序。
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公开(公告)号：CN101615422B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN200810126522.0
申请日：2008-06-24
Applicant: 威刚科技股份有限公司
IPC: G11C7/10
Abstract: 一种自动切换内存接口模式的闪存控制器，应用于一具有多个闪存的储存装置，包括：一内存接口、一微处理单元及一闪存接口模式控制单元。其中，微处理单元在初始设定程序时，是辨识内存接口所连接的各个闪存所支持的接口模式，进而分别设定对应的接口模式设定值于接口模式控制单元。于是当储存装置运作于一正常运作状态时，接口模式控制单元便会依据目前所致能的闪存而输出对应的接口模式设定值，使内存接口依据接口模式设定值来调整及切换接口模式。借此，以达到让储存装置充分发挥存取速度的目的。
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公开(公告)号：CN101271380B
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN200710165932.1
申请日：2007-11-02
Applicant: 威刚科技股份有限公司
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/1036 , G06F2212/7208 , G06F2212/7211 , G11C11/56 , G11C2211/5641
Abstract: 一种混合密度存储体储存装置，是适用于配合一主机及其档案系统作数据储存。所述的混合密度存储体储存装置包括一非挥发性存储体单元、一热门数据缓冲区及一控制单元。非挥发性存储体单元包括一高密度记忆储存空间，及一低密度记忆储存空间。控制单元是耦接于主机、非挥发性存储体单元及热门数据缓冲区之间，其具有一热门清单用以记录多个属于热门数据的逻辑位置，使控制单元可根据该热门清单从热门数据缓冲区存取数据。
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公开(公告)号：CN101739343B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN200810180828.4
申请日：2008-11-24
Applicant: 威刚科技股份有限公司
Abstract: 一种闪存系统，其包括：一高速缓存、一高速缓存接口、一主机接口、一闪存接口及一微处理器。高速缓存接口包含一分配器用以运行一数据总线频宽的分时(Time Sharing)处理来分配存取高速缓存。主机接口接收一主机端系统的一数据并将该数据暂存至高速缓存以成为一待存数据。闪存接口自高速缓存中读取待存数据而储存于至少一闪存，而微处理器控制主机接口及闪存接口来存取高速缓存。借此，以达到提升存取效能以及内存寿命的目的。
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公开(公告)号：CN101271380A
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN200710165932.1
申请日：2007-11-02
Applicant: 威刚科技股份有限公司
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/1036 , G06F2212/7208 , G06F2212/7211 , G11C11/56 , G11C2211/5641
Abstract: 一种混合密度存储体储存装置，是适用于配合一主机及其档案系统作数据储存。所述的混合密度存储体储存装置包括一非挥发性存储体单元、一热门数据缓冲区及一控制单元。非挥发性存储体单元包括一高密度记忆储存空间，及一低密度记忆储存空间。控制单元是耦接于主机、非挥发性存储体单元及热门数据缓冲区之间，其具有一热门清单用以记录多个属于热门数据的逻辑位置，使控制单元可根据该热门清单从热门数据缓冲区存取数据。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101615420B
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN200810126102.2
申请日：2008-06-26
Applicant: 威刚科技股份有限公司
Abstract: 一种闪存储存装置，是在对一闪存执行一复制回存程序时，进行数据修正功能，闪存具有至少一记忆单元及一记忆页缓冲区，而闪存控制器包括：一传输缓冲区、一错误修正单元、一修正信息暂存器及一微处理单元。微处理单元是在对闪存产生一复制记忆页的读取指令后，读取记忆页缓冲区的数据而暂存至传输缓冲区，进而控制错误修正单元检测及修正传输缓冲区的数据以产生一检测结果。最后依据检测结果中的一数据错误数量来产生相异的一烧录指令，以将修正后的数据烧录至记忆单元。以达到改善可靠度及存取效率的目的。
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公开(公告)号：CN101271730B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN200710129461.9
申请日：2007-07-17
Applicant: 威刚科技股份有限公司
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/1036 , G06F2212/7208 , G06F2212/7211 , G11C11/56 , G11C2211/5641
Abstract: 本发明公开了一种具混合密度存储器的存储器系统。所述的存储器系统包括有多个具不同抹除耐用次数的存储储存空间，以及对应该存储储存空间与其抹除耐用次数所预设的权值。其中该系统在执行对一存储储存空间的特定储存区块作抹除的命令之后，依据该特定储存区块所属的存储储存空间对应的权值，记录该次抹除的执行。借此，可使得分属不同密度的存储储存空间尽可能同时到达抹除耐用次数。
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公开(公告)号：CN101430923B
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：CN200710166222.0
申请日：2007-11-06
Applicant: 威刚科技股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种具有温度控制功能的固态半导体储存装置及其应用系统与控制组件，其中固态半导体储存装置，包括一非易失性存储器单元、一温度感测组件及一控制单元。温度感测组件用于感测该固态半导体储存装置的操作温度，以提供温度感测信号给控制单元，而控制单元根据温度感测信号值判断固态半导体储存装置的操作温度，并执行对应程序，进而达到温度控制的目的。
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公开(公告)号：CN101599305B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200810109903.8
申请日：2008-06-04
Applicant: 威刚科技股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种具有数据修复功能的储存系统及其数据修复方法，主要是利用反复一或多次的测试与修复流程，使记忆媒体中的错误能降低至一般使用的错误侦测及校正(ECC)功能可以修复的范围，以确保资料读取的正确性，有效提升数据可靠度，其中数据修复步骤之较佳方式包括利用储存系统中的测试数据产生器提供一笔测试数据，并写入发生数据错误的记忆区块中，并通过读取其中数据来找到错误位，再通过修复程序使之能处于ECC技术可以修复的范围中，但是，若测试次数超过一测试的上限次数都无法找出错误位或无法将错误修复降低至错误侦测及校正技术可修复的范围，则将此记忆区块标记为损毁区块。
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公开(公告)号：CN101271379B
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN200710165148.0
申请日：2007-11-01
Applicant: 威刚科技股份有限公司
CPC classification number: G06F12/0246 , G06F2212/1036 , G06F2212/7208 , G06F2212/7211 , G11C11/56 , G11C2211/5641
Abstract: 本发明揭示一种混合密度存储体储存装置的控制方法，适用于配置一混合密度存储体储存装置对应一文件系统的实体位置。此储存装置具有一高密度存储储存空间、一低密度存储储存空间及一热门清单，此热门清单适用于记录文件系统中的数个逻辑位置。此控制方法包括的步骤为，首先，接收一指令。随后，比对指令所指向的逻辑位置是否属于热门清单所记录的逻辑位置其中之一。最后，根据比对结果，指定高密度存储储存空间的实体位置或低密度存储储存空间的实体位置作为指令所指向的逻辑位置所对应的实体位置。
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