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    内窥镜
    2.
    发明授权
    内窥镜 有权 转让

    公开(公告)号：CN106999002B

    公开(公告)日：2018-09-28

    申请号：CN201580067350.2

    申请日：2015-11-05

    Applicant: 奥林巴斯株式会社 ,  松下电器产业株式会社

    Inventor： 一村博信 ,  高桥朋久 ,  山下友和 ,  藤森纪幸 ,  五十岚考俊 ,  高山義树

    IPC: A61B1/00 ,  A61B1/04 ,  G02B23/24

    Abstract: 本发明提供一种实现插入部的细径化并且实现高图像品质化的内窥镜。内窥镜的特征在于，该内窥镜包括：摄像单元，其配设在向被检体的体内插入的插入部的顶端部；以及内置物，其在所述顶端部与所述摄像单元并列设置，并且与所述插入部的轴线方向大致平行地延伸设置，其特征在于，所述摄像单元具有：固体摄像元件，其具有受光部；以及硬质基板，其至少一部分配置在比所述固体摄像元件靠所述内窥镜的基端侧的位置，该硬质基板与所述固体摄像元件电连接，所述硬质基板具有长度方向沿所述顶端部的轴线方向延伸的第1面和与所述第1面大致平行地相对的第2面，在与所述长度方向正交的截面中，所述第1面的宽度长于所述第2面的宽度，所述硬质基板的与所述第1面和所述第2面不同的面且是沿所述顶端部的轴线方向延伸的第3面或第4面与所述内置物相对。

    摄像单元、内窥镜以及摄像单元的制造方法
    4.
    发明授权
    摄像单元、内窥镜以及摄像单元的制造方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN106999023B

    公开(公告)日：2018-11-13

    申请号：CN201580064940.X

    申请日：2015-11-05

    Applicant: 奥林巴斯株式会社 ,  松下电器产业株式会社

    Inventor： 山下友和 ,  五十岚考俊 ,  藤森纪幸 ,  高山义树 ,  原田丰

    IPC: A61B1/04 ,  G02B23/24

    Abstract: 提供能够在谋求小型化的同时防止层叠基板折断的摄像单元、内窥镜以及摄像单元的制造方法。本发明的摄像单元的特征在于，包括：固体摄像元件；挠性基板，其向与所述固体摄像元件的所述受光面相对的面侧伸出；以及层叠基板，其连接于所述挠性基板的与所述固体摄像元件相连接的一侧的面，该层叠基板安装有多个电子部件，所述层叠基板在与所述挠性基板相连接的连接面的、比与所述挠性基板连接的连接部靠基端侧的位置具有凹部，该凹部安装有所述多个电子部件中的至少1个电子部件，所述凹部的自所述连接面的深度小于安装于所述凹部的电子部件的高度，并且所述安装的电子部件不突出到所述挠性基板的与同所述层叠基板连接的连接面相对的面侧。

    内窥镜用摄像装置的制造方法、内窥镜用摄像装置和内窥镜
    6.
    发明公开
    内窥镜用摄像装置的制造方法、内窥镜用摄像装置和内窥镜 无效

    公开(公告)号：CN113272707A

    公开(公告)日：2021-08-17

    申请号：CN201980087833.7

    申请日：2019-01-22

    Applicant: 奥林巴斯株式会社

    Inventor： 藤森纪幸

    IPC: G02B23/24 ,  A61B1/04 ,  G02B7/02 ,  H01L27/146 ,  H04N5/225

    Abstract: 内窥镜用摄像装置(1)的制造方法具备下述工序：晶片制作工序(S10)，制作分别以玻璃晶片(21W)、(31W)为基体且为包含多个树脂透镜(22)、(32)的复合透镜晶片的光学晶片(20W)、(30W)、以及包含多个间隔物(29)的由无机材料构成的间隔物晶片(29W)；接合工序，将光学晶片(20W)、(30W)与间隔物晶片(29W)在低于多个树脂透镜(22、32)的软化点的温度下进行直接接合，由此制作配设有多个树脂透镜(22)、(32)中的各透镜的空间被气密密封的接合晶片(10W)；摄像部配设工序(S30)，将多个摄像部(50)配设于接合晶片(10W)；以及单片化工序(S40)，对配设有多个摄像部(50)的接合晶片(10W)进行切割。

    内窥镜用摄像装置和内窥镜
    7.
    发明公开
    内窥镜用摄像装置和内窥镜 无效

    公开(公告)号：CN112189258A

    公开(公告)日：2021-01-05

    申请号：CN201880093674.7

    申请日：2018-07-06

    Applicant: 奥林巴斯株式会社

    Inventor： 藤森纪幸

    IPC: H01L27/146 ,  A61B1/04 ,  H04N5/225 ,  H04N5/369

    Abstract: 内窥镜用摄像装置(1)具备：作为混合透镜元件(20、30、40)的光学部(10)，其接合有多个光学元件(20、29、30、39、40、49)，所述多个光学元件中的至少任意一个光学元件在玻璃板(21、31、41)的主面配设有树脂透镜(22、32、42)；以及摄像部(50)，其接受由所述光学部(10)聚光得到的被摄体像，所述树脂透镜(22、32、42)的表面及所述树脂透镜的周围的所述主面被透明无机膜(23、33、43)覆盖。

    内窥镜和摄像装置
    8.
    发明授权
    内窥镜和摄像装置 有权

    公开(公告)号：CN107205625B

    公开(公告)日：2019-08-16

    申请号：CN201580073455.9

    申请日：2015-01-15

    Applicant: 奥林巴斯株式会社

    Inventor： 藤森纪幸

    IPC: A61B1/04

    CPC classification number: A61B1/05 ,  A61B1/04 ,  G02B23/243

    Abstract: 内窥镜(2)在插入部的前端部(2a)配设有摄像装置(1)，该摄像装置(1)具有：摄像元件(10)，其具有半导体基板(11)和布线层(12)，该半导体基板(11)在第一主面(10SA)上形成有摄像部(13)，在第二主面(10SB)上具有接合端子(18)，该布线层(12)配设在所述半导体基板(11)的所述第一主面(10SA)上，是由导体层(12A)隔着绝缘层(12B、12C)层叠而成的；以及玻璃盖(30)，其以覆盖所述摄像元件(10)的所述第一主面侧的整体的方式粘接，其中，该内窥镜(2)具有保护部(40)，该保护部(40)至少覆盖所述摄像元件(10)的所述布线层(12)的侧面，该保护部(40)是在树脂(41)中分散有透湿性比所述树脂(41)的透湿性低的遮断粒子(42)而得到的。

    内窥镜用摄像单元和内窥镜
    9.
    发明公开
    内窥镜用摄像单元和内窥镜 无效

    公开(公告)号：CN109152518A

    公开(公告)日：2019-01-04

    申请号：CN201680086025.5

    申请日：2016-05-24

    Applicant: 奥林巴斯株式会社

    Inventor： 藤森纪幸

    IPC: A61B1/04 ,  A61B1/00

    Abstract: 内窥镜用摄像单元1具有：以第一平行平板玻璃11为基体的第一光学元件10；以第二平行平板玻璃21为基体的第二光学元件20；用于规定第一光学元件10与第二光学元件20之间的距离的第一间隔件30；摄像元件50；和用于规定第二光学元件20与摄像元件50之间的距离的第二间隔件40，第一平行平板玻璃11在光入射面10SA上没有设置树脂透镜，在与光入射面10SA相对的第二主面10SB上设置有具有负光焦度的树脂透镜12，在第二平行平板玻璃21上设置有具有正光焦度的树脂透镜22，侧面被由无机材料构成的密封部件60覆盖，光路空间是密封空间。

    摄像装置的制造方法以及半导体装置的制造方法
    10.
    发明授权
    摄像装置的制造方法以及半导体装置的制造方法 失效

    公开(公告)号：CN104380466B

    公开(公告)日：2017-05-24

    申请号：CN201380028598.9

    申请日：2013-04-04

    Applicant: 奥林巴斯株式会社

    Inventor： 藤森纪幸 ,  五十岚考俊 ,  吉田和洋

    IPC: H01L27/14 ,  H01L23/12 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31

    Abstract: 摄像装置(10)的制造方法包括：多个受光部(31)形成于第1主面(30SA)，切断在各个受光部(31)的周围形成有电极焊盘(32)的摄像芯片基板(30W)而制作多个摄像芯片(30)的工序；借助透明的粘接层(41)将摄像芯片(30)的第1主面(30SA)粘接于玻璃晶圆(20W)，并且，借助粘接层(41)将虚设芯片(30D)粘接于玻璃晶圆(20W)的未粘接摄像芯片(30)的外周区域而制作接合晶圆(40W)的工序；利用密封构件(42)将摄像芯片(30)以及虚设芯片(30D)之间填充的工序；将接合晶圆(40W)加工而减薄厚度的工序；在第2主面(30SB)上形成借助贯穿布线(33)与电极焊盘(32)连接的外部连接电极(34)的工序；以及切断接合晶圆(40W)的工序。

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