摄像装置、半导体装置及摄像单元

    公开(公告)号:CN104364894A

    公开(公告)日:2015-02-18

    申请号:CN201380028669.5

    申请日:2013-04-04

    Abstract: 摄像装置(10)包括:摄像芯片(30),其在第1主面(30SA)上具有受光部(31)和形成于受光部(31)的周围的电极焊盘(32),在第2主面(30SB)上具有借助贯穿布线(33)与电极焊盘(32)相连接的外部连接电极(34);透明的玻璃盖片(20),其俯视尺寸大于所述摄像芯片(30)的俯视尺寸;透明的粘接层(41),其用于粘接所述摄像芯片(30)的第1主面(30SA)与玻璃盖片(20)之间;以及密封构件(42),其覆盖所述摄像芯片(30)的侧面和粘接层(41)的侧面,并由与玻璃盖片(20)的俯视尺寸相同的俯视尺寸的绝缘材料构成。

    内窥镜用摄像组件和内窥镜

    公开(公告)号:CN109715040A

    公开(公告)日:2019-05-03

    申请号:CN201680089323.X

    申请日:2016-10-27

    Abstract: 内窥镜用摄像组件(1)包括呈长方体的摄像部(40)和与上述摄像部(40)连接的信号线缆(51),摄像部(40)中层叠有包括第一半导体元件(21)和第二半导体元件(23)在内的多个半导体元件(21~25),摄像部(40)包括摄像元件(10)、被接合在摄像元件(10)的背面(10SB)上的元件层叠体(20)和由树脂构成的加强部件(30),加强部件(30)覆盖元件层叠体(20)的外周面,后端侧的上述第一半导体元件(21)比摄像元件侧的上述第二半导体元件(23)小,加强部件(30)的上述后端侧的厚度(D1)大于上述摄像元件侧的厚度(D2)。

    摄像装置的制造方法以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN104380466B

    公开(公告)日:2017-05-24

    申请号:CN201380028598.9

    申请日:2013-04-04

    Abstract: 摄像装置(10)的制造方法包括:多个受光部(31)形成于第1主面(30SA),切断在各个受光部(31)的周围形成有电极焊盘(32)的摄像芯片基板(30W)而制作多个摄像芯片(30)的工序;借助透明的粘接层(41)将摄像芯片(30)的第1主面(30SA)粘接于玻璃晶圆(20W),并且,借助粘接层(41)将虚设芯片(30D)粘接于玻璃晶圆(20W)的未粘接摄像芯片(30)的外周区域而制作接合晶圆(40W)的工序;利用密封构件(42)将摄像芯片(30)以及虚设芯片(30D)之间填充的工序;将接合晶圆(40W)加工而减薄厚度的工序;在第2主面(30SB)上形成借助贯穿布线(33)与电极焊盘(32)连接的外部连接电极(34)的工序;以及切断接合晶圆(40W)的工序。

    摄像装置的制造方法以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN104380465A

    公开(公告)日:2015-02-25

    申请号:CN201380028577.7

    申请日:2013-04-04

    Abstract: 摄像装置(10)的制造方法包括:多个受光部(31)形成于第1主面(30SA),切断在各个受光部(31)的周围形成有电极焊盘(32)的摄像芯片基板(30W)而制作多个摄像芯片(30)的工序;经检查判断为合格品的摄像芯片(30)的第1主面(30SA)借助透明的粘接层(41)粘接于大小和形状中的至少任意一项与上述摄像芯片基板(30W)的大小和形状不同的玻璃晶圆(20W)而制作接合晶圆(40W)的工序;利用密封构件(42)将粘接于接合晶圆(40W)的多个摄像芯片(30)之间填充的工序;加工工序,其包括:将接合晶圆(40W)自第2主面(30SB)侧加工而将接合晶圆(30W)的厚度减薄,并使加工面平坦化的工序,以及形成与电极焊盘(32)连接的贯穿布线(33)的工序;在第2主面(30SB)上形成借助贯穿布线(33)与电极焊盘(32)连接的外部连接电极(34)的工序;以及切断接合晶圆(40W)而单片化的工序。

    内窥镜
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109963493A

    公开(公告)日:2019-07-02

    申请号:CN201680090390.3

    申请日:2016-10-27

    Abstract: 内窥镜90具有:包括硬性前端部9A的插入部9B;和设置在上述插入部9B的后部的抓持部9C,上述硬性前端部9A中具有第一贯通孔H10和第二贯通孔H40,在上述第一贯通孔H10中插入有摄像单元10,上述摄像单元10具有多个光学元件21~26与包括摄像元件11的多个半导体元件31~36的层叠体,上述摄像单元10包括:包括上述摄像元件11的第一组件块20;和光轴正交方向的面积比上述第一组件块20小的第二组件块30,在设将上述第一组件块20在光轴方向上延长而得到的空间为空间S20,设将上述第二组件块30在光轴正交方向上延长而得到的空间为空间S20时,前端部插入在上述第二贯通孔H40中的作为构成部件的送水送气管40的一部分设置在上述空间S20与上述空间S20重叠的收纳空间S40中。

    摄像装置的制造方法以及半导体装置的制造方法

    公开(公告)号:CN104380465B

    公开(公告)日:2018-02-09

    申请号:CN201380028577.7

    申请日:2013-04-04

    Abstract: 摄像装置(10)的制造方法包括:多个受光部(31)形成于第1主面(30SA),切断在各个受光部(31)的周围形成有电极焊盘(32)的摄像芯片基板(30W)而制作多个摄像芯片(30)的工序;经检查判断为合格品的摄像芯片(30)的第1主面(30SA)借助透明的粘接层(41)粘接于大小和形状中的至少任意一项与上述摄像芯片基板(30W)的大小和形状不同的玻璃晶圆(20W)而制作接合晶圆(40W)的工序;利用密封构件(42)将粘接于接合晶圆(40W)的多个摄像芯片(30)之间填充的工序;加工工序,其包括:将接合晶圆(40W)自第2主面(30SB)侧加工而将接合晶圆(30W)的厚度减薄,并使加工面平坦化的工序,以及形成与电极焊盘(32)连接的贯穿布线(33)的工序;在第2主面(30SB)上形成借助贯穿布线(33)与电极焊盘(32)连接的外部连接电极(34)的工序;以及切断接合晶圆(40W)而单片化的工序。

Patent Agency Ranking