公开(公告)号：CN103650266A

公开(公告)日：2014-03-19

申请号：CN201280034281.1

申请日：2012-05-04

Applicant: 奥斯坦多科技公司

Inventor： H.S.埃尔-霍罗里 ,  庄奇理 ,  K.亚达瓦利 ,  范谦

IPC: H01S5/40 ,  H01L27/146 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762

Abstract: 用于接合需要在接合的晶片之间并且跨越接合边界转移电和光学信号的半导体晶片的方法。用于半导体晶片的接合的方法包含在晶片接合边界内形成电和光学互连通孔以在接合的晶片之间转移电和光学信号。使用许多金属柱跨越接合表面形成电通孔，每个金属柱由跨越接合表面融合的多个金属层构成。使用许多光波导跨越接合表面形成光通孔，每个光波导由跨越接合边界融合的介电材料构成并且具有比接合的晶片之间的介电中间接合层的折射率高的折射率。电和光学通孔跨越接合的晶片之间的接合表面散步以实现电和光学信号两者在接合的晶片之间的一致转移。

公开(公告)号：CN103650266B

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201280034281.1

申请日：2012-05-04

Applicant: 奥斯坦多科技公司

Inventor： H.S.埃尔-霍罗里 ,  庄奇理 ,  K.亚达瓦利 ,  范谦

IPC: H01S5/40 ,  H01L27/146 ,  H01L21/20 ,  H01L21/762

Abstract: 用于接合需要在接合的晶片之间并且跨越接合边界转移电和光学信号的半导体晶片的方法。用于半导体晶片的接合的方法包含在晶片接合边界内形成电和光学互连通孔以在接合的晶片之间转移电和光学信号。使用许多金属柱跨越接合表面形成电通孔，每个金属柱由跨越接合表面融合的多个金属层构成。使用许多光波导跨越接合表面形成光通孔，每个光波导由跨越接合边界融合的介电材料构成并且具有比接合的晶片之间的介电中间接合层的折射率高的折射率。电和光学通孔跨越接合的晶片之间的接合表面散步以实现电和光学信号两者在接合的晶片之间的一致转移。

公开(公告)号：CN106935489B

公开(公告)日：2021-03-12

申请号：CN201710265039.X

申请日：2012-05-04

Applicant: 奥斯坦多科技公司

Inventor： H.S.埃尔-霍罗里 ,  庄奇理 ,  K.亚达瓦利 ,  范谦

IPC: H01L21/18 ,  H01L27/146

Abstract: 用于接合需要在接合的晶片之间并且跨越接合边界转移电和光学信号的半导体晶片的方法是通过如下实现的：将一个晶片上的光学互连与第二晶片上的光学互连融合，将一个晶片上的电互连与第二晶片上的电互连融合，并且将一个晶片上的介电中间接合层与第二晶片上的介电中间接合层融合，以接合晶片连同晶片之间的电互连和光学互连。所述方法也适用于接合半导体晶片以在晶片之间提供高密度的电互连。

公开(公告)号：CN106935489A

公开(公告)日：2017-07-07

申请号：CN201710265039.X

申请日：2012-05-04

Applicant: 奥斯坦多科技公司

Inventor： H.S.埃尔-霍罗里 ,  庄奇理 ,  K.亚达瓦利 ,  范谦

IPC: H01L21/18 ,  H01L27/146

Abstract: 用于接合需要在接合的晶片之间并且跨越接合边界转移电和光学信号的半导体晶片的方法。用于半导体晶片的接合的方法包含在晶片接合边界内形成电和光学互连通孔以在接合的晶片之间转移电和光学信号。使用许多金属柱跨越接合表面形成电通孔，每个金属柱由跨越接合表面融合的多个金属层构成。使用许多光波导跨越接合表面形成光通孔，每个光波导由跨越接合边界融合的介电材料构成并且具有比接合的晶片之间的介电中间接合层的折射率高的折射率。电和光学通孔跨越接合的晶片之间的接合表面散步以实现电和光学信号两者在接合的晶片之间的一致转移。