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公开(公告)号:CN108292693B
公开(公告)日:2021-10-22
申请号:CN201680072137.5
申请日:2016-10-07
Applicant: 奥斯坦多科技公司
Abstract: 一种III族氮化物半导体光发射设备,其并入了n型III族氮化物覆层、含铟III族氮化物光发射区、以及p型III族氮化物覆层。光发射区被夹在n‑和p‑型III族氮化物覆层之间,并且包括多个多量子阱(MQW)集合。在n型覆层上形成的第一MQW集合包括相对较低的铟浓度。第二MQW集合包括相对中等的铟浓度。与p型覆层相邻的第三MQW集合并入了三个MQW集合中相对最高的铟浓度,并且能够发射琥珀色到红色光。前两个MQW集合被用作预应变层。在MQW集合之间,添加中间应变补偿层(ISCL)。前两个MQW集合和ISCL的组合防止相位分离并且增强第三MQW集合中的铟摄取。作为结果,第三MQW集合保持足够高的铟浓度以发射高输出功率的琥珀色到红色光,而没有任何相位分离相关联的问题。
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公开(公告)号:CN106796349B
公开(公告)日:2019-11-19
申请号:CN201580047081.3
申请日:2015-09-01
Applicant: 奥斯坦多科技公司
Inventor: H.S.埃尔-古劳里 , 蔡靖波 , 庄奇理 , M.迈尔斯
Abstract: 描述了分割出瞳(或分割眼箱)平视显示(HUD)系统和方法。所描述的HUD系统和方法利用分割出瞳设计方法,其实现模块化HUD系统并允许观察眼箱尺寸的HUD系统能够被调整同时减小总体HUD体积方面。HUD模块利用高亮度小尺寸微像素成像器,以生成具有给定观察眼箱段尺寸的HUD虚拟图像。当被一起集成到HUD系统时,显示相同图像的多个这种HUD模块会实现这种集成的HUD系统,以具有基本大于HUD模块的眼箱尺寸的眼箱尺寸。所得到的集成HUD系统的体积基本在体积上小于使用单个较大成像器的HUD系统。此外,集成的HUD系统可包括多个HUD模块,以缩放眼箱尺寸以匹配所打算的应用同时保持给定期望的总体HUD系统亮度。
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公开(公告)号:CN108292693A
公开(公告)日:2018-07-17
申请号:CN201680072137.5
申请日:2016-10-07
Applicant: 奥斯坦多科技公司
Abstract: 一种III族氮化物半导体光发射设备,其并入了n型III族氮化物覆层、含铟III族氮化物光发射区、以及p型III族氮化物覆层。光发射区被夹在n-和p-型III族氮化物覆层之间,并且包括多个多量子阱(MQW)集合。在n型覆层上形成的第一MQW集合包括相对较低的铟浓度。第二MQW集合包括相对中等的铟浓度。与p型覆层相邻的第三MQW集合并入了三个MQW集合中相对最高的铟浓度,并且能够发射琥珀色到红色光。前两个MQW集合被用作预应变层。在MQW集合之间,添加中间应变补偿层(ISCL)。前两个MQW集合和ISCL的组合防止相位分离并且增强第三MQW集合中的铟摄取。作为结果,第三MQW集合保持足够高的铟浓度以发射高输出功率的琥珀色到红色光,而没有任何相位分离相关联的问题。
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公开(公告)号:CN103650266A
公开(公告)日:2014-03-19
申请号:CN201280034281.1
申请日:2012-05-04
Applicant: 奥斯坦多科技公司
Inventor: H.S.埃尔-霍罗里 , 庄奇理 , K.亚达瓦利 , 范谦
IPC: H01S5/40 , H01L27/146 , H01L21/20 , H01L21/762
Abstract: 用于接合需要在接合的晶片之间并且跨越接合边界转移电和光学信号的半导体晶片的方法。用于半导体晶片的接合的方法包含在晶片接合边界内形成电和光学互连通孔以在接合的晶片之间转移电和光学信号。使用许多金属柱跨越接合表面形成电通孔,每个金属柱由跨越接合表面融合的多个金属层构成。使用许多光波导跨越接合表面形成光通孔,每个光波导由跨越接合边界融合的介电材料构成并且具有比接合的晶片之间的介电中间接合层的折射率高的折射率。电和光学通孔跨越接合的晶片之间的接合表面散步以实现电和光学信号两者在接合的晶片之间的一致转移。
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公开(公告)号:CN114640024A
公开(公告)日:2022-06-17
申请号:CN202210277470.7
申请日:2016-06-03
Applicant: 奥斯坦多科技公司
Inventor: H.S.埃尔-戈劳里 , M.V.基辛 , Y-C.M.叶 , 庄奇理 , J-C.陈
IPC: H01S5/34 , H01S5/042 , H01S5/10 , H01S5/20 , H01S5/343 , H01S5/40 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/14 , H01L33/32
Abstract: 本文所公开的是用于并入了中间载流子阻挡层的半导体发光器件(LED)的多层光学有源区域,所述中间载流子阻挡层具有针对组分和掺杂水平的设计参数,其被选择以提供在有源区域上对载流子注入分布的有效控制以实现期望的器件注入特性。本文所讨论的实施例的示例尤其包括:具有RGB色域的全覆盖范围的在可见光范围内操作的多量子阱可变颜色LED;具有超出标准RGB色域的扩展颜色色域的在可见光范围内操作的多量子阱可变颜色LED,具有可变色温的多量子阱发射白光LED和具有均匀填充的有源层的多量子阱LED。
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公开(公告)号:CN106935489B
公开(公告)日:2021-03-12
申请号:CN201710265039.X
申请日:2012-05-04
Applicant: 奥斯坦多科技公司
Inventor: H.S.埃尔-霍罗里 , 庄奇理 , K.亚达瓦利 , 范谦
IPC: H01L21/18 , H01L27/146
Abstract: 用于接合需要在接合的晶片之间并且跨越接合边界转移电和光学信号的半导体晶片的方法是通过如下实现的:将一个晶片上的光学互连与第二晶片上的光学互连融合,将一个晶片上的电互连与第二晶片上的电互连融合,并且将一个晶片上的介电中间接合层与第二晶片上的介电中间接合层融合,以接合晶片连同晶片之间的电互连和光学互连。所述方法也适用于接合半导体晶片以在晶片之间提供高密度的电互连。
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公开(公告)号:CN108701437B
公开(公告)日:2022-03-29
申请号:CN201680082778.9
申请日:2016-12-28
Applicant: 奥斯坦多科技公司
Abstract: 介绍了具有非远心发射的发射型微像素空间光调制器。在唯一的方向上定向调制来自每一个多颜色微尺度发射型像素的单个光发射,以使得能够实现来自发射型空间光调制器的微像素阵列的应用特定的非远心发射图案。描述了用于使用微像素级光学器件来定向调制单个微像素的光发射的设计方法。还描述了用于制造微像素级光学器件的单片晶片级光学器件方法。具有非远心发射的发射型多色微像素空间光调制器被用来例示本发明的方法和可能应用:超紧凑图像投影仪、最小串扰3D光场显示器、多视图2D显示器和用于透视近眼显示器的定向调制的波导光学器件。
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公开(公告)号:CN110573930A
公开(公告)日:2019-12-13
申请号:CN201880029162.4
申请日:2018-02-28
Applicant: 奥斯坦多科技公司
Inventor: H.S.埃尔-古劳里 , 蔡靖波 , 庄奇理 , M.迈尔斯
Abstract: 描述了分割出瞳(或分割眼盒)平视显示器(HUD)系统和方法。所描述的HUD系统方法利用分割出瞳设计方法,该方法能够实现模块化HUD系统,并允许HUD系统观看要被定制的眼盒尺寸,同时减少整体HUD体积方面。HUD模块利用高亮度小尺寸微像素成像器来生成具有一个或多个给定观看眼盒区段尺寸的一个或多个HUD虚像。当集成到HUD系统中时,显示相同图像的多个这样的HUD模块将使得这样的集成HUD系统的眼盒尺寸远大于HUD模块的眼盒尺寸。所得到的集成HUD系统体积基本上比使用单个较大成像器的HUD系统在体积上更小。此外,集成的HUD系统可以包括多个HUD模块以缩放眼盒尺寸以匹配预期的应用,同时保持给定的期望的整体HUD系统亮度。
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公开(公告)号:CN103650266B
公开(公告)日:2017-05-31
申请号:CN201280034281.1
申请日:2012-05-04
Applicant: 奥斯坦多科技公司
Inventor: H.S.埃尔-霍罗里 , 庄奇理 , K.亚达瓦利 , 范谦
IPC: H01S5/40 , H01L27/146 , H01L21/20 , H01L21/762
Abstract: 用于接合需要在接合的晶片之间并且跨越接合边界转移电和光学信号的半导体晶片的方法。用于半导体晶片的接合的方法包含在晶片接合边界内形成电和光学互连通孔以在接合的晶片之间转移电和光学信号。使用许多金属柱跨越接合表面形成电通孔,每个金属柱由跨越接合表面融合的多个金属层构成。使用许多光波导跨越接合表面形成光通孔,每个光波导由跨越接合边界融合的介电材料构成并且具有比接合的晶片之间的介电中间接合层的折射率高的折射率。电和光学通孔跨越接合的晶片之间的接合表面散步以实现电和光学信号两者在接合的晶片之间的一致转移。
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