公开(公告)号：CN118413107B

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202410831892.3

申请日：2024-06-26

Applicant: 天津工业大学

Inventor： 牛萍娟 ,  于佳豪 ,  郭婧颖 ,  高圣伟

IPC: H02M3/07 ,  H02M3/158

Abstract: 本发明提供了一种高升降压比DC‑DC变换器及其控制方法，包括直流电源、第一二极管、第二二极管、第一电感、第二电感、第三电感、第一电容、第二电容、第三电容、第一半导体开关器件、第二半导体开关器件、第三半导体开关器件、第四半导体开关器件、第五半导体开关器件、第六半导体开关器件、负载，第一半导体开关器件、第二半导体开关器件、第三半导体开关器件、第四半导体开关器件、第五半导体开关器件和第六半导体开关器件为IGBT或MOSFET。本发明通过设置增益单元，通过电容和电感充放电的作用，进一步提升了电压输出范围，使本发明公开的变换器有着更高的电压增益，适用范围更广。

公开(公告)号：CN118413107A

公开(公告)日：2024-07-30

申请号：CN202410831892.3

申请日：2024-06-26

Applicant: 天津工业大学

Inventor： 牛萍娟 ,  于佳豪 ,  郭婧颖 ,  高圣伟

IPC: H02M3/07 ,  H02M3/158

Abstract: 本发明提供了一种高升降压比DC‑DC变换器及其控制方法，包括直流电源、第一二极管、第二二极管、第一电感、第二电感、第三电感、第一电容、第二电容、第三电容、第一半导体开关器件、第二半导体开关器件、第三半导体开关器件、第四半导体开关器件、第五半导体开关器件、第六半导体开关器件、负载，第一半导体开关器件、第二半导体开关器件、第三半导体开关器件、第四半导体开关器件、第五半导体开关器件和第六半导体开关器件为IGBT或MOSFET。本发明通过设置增益单元，通过电容和电感充放电的作用，进一步提升了电压输出范围，使本发明公开的变换器有着更高的电压增益，适用范围更广。