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公开(公告)号：CN118413107A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202410831892.3
申请日：2024-06-26
Applicant: 天津工业大学
Abstract: 本发明提供了一种高升降压比DC‑DC变换器及其控制方法，包括直流电源、第一二极管、第二二极管、第一电感、第二电感、第三电感、第一电容、第二电容、第三电容、第一半导体开关器件、第二半导体开关器件、第三半导体开关器件、第四半导体开关器件、第五半导体开关器件、第六半导体开关器件、负载，第一半导体开关器件、第二半导体开关器件、第三半导体开关器件、第四半导体开关器件、第五半导体开关器件和第六半导体开关器件为IGBT或MOSFET。本发明通过设置增益单元，通过电容和电感充放电的作用，进一步提升了电压输出范围，使本发明公开的变换器有着更高的电压增益，适用范围更广。
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公开(公告)号：CN117976521A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410361554.8
申请日：2024-03-28
Applicant: 天津工业大学
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，具体涉及一种亚稳相氧化镓膜异质外延生长方法及装置。本发明将镓源溶液雾化为镓源雾滴；采用载气将所述镓源雾滴输送至衬底表面，在衬底表面外延生长得到所述亚稳相氧化镓膜；所述镓源雾滴输送至所述衬底表面的运动方向与衬底表面形成的夹角为5~85°；所述雾化时镓源雾滴由喷雾莲蓬头喷出，所述喷雾莲蓬头的喷雾表面与衬底表面平行，所述喷雾莲蓬头的喷雾表面与衬底表面的距离为0.5~10 mm。本发明提高了衬底表面附近的雾滴密度；且有效提高氧化镓薄膜的生长速度、结晶质量以及表面平整度，以克服现有Mist‑CVD技术生长氧化镓膜生长速度慢、结晶质量差、表面粗糙度高的不足。
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公开(公告)号：CN113691131B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202110701530.9
申请日：2021-06-23
Applicant: 天津工业大学
IPC: H02M3/158
Abstract: 本发明涉及一种宽输入范围三端口变换器及其控制方法。属于电力电子变换器技术领域。该变换器设有光伏电池PV、蓄电池Bat和电阻负载R三个端口，包括一个升压(Boost)电路和一个可逆升降压(Sepic‑Zeta)电路。一个升压电路用于连接光伏电池PV和负载R；一个可逆升降压电路用于连接光伏电池PV和蓄电池Bat以及蓄电池Bat和负载R。本发明具有体积小、宽输入范围、集成度高、稳定性高和变换效率高等优点。
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公开(公告)号：CN111953385B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN202010986969.6
申请日：2020-09-18
Applicant: 天津工业大学
Abstract: 一种基于开关纹波调制的电源线通信电路及方法，包括并联逆变模块、双路磁集成模块、并联整流模块和控制模块，并联逆变模块与双路磁集成模块连接，用于把第一直流电压转换为第一交流电压来给LLC谐振腔供电，双路磁集成模块与并联整流模块连接，用于把第一交流电压转换为第二交流电压，并联整流模块与负载相连，用于把第二交流电压转换为第二直流电压给负载供电，控制模块与并联逆变模块连接，用于控制上下两路变换器驱动信号的移相角，进而控制输出电流纹波大小来进行数据通信。本发明解决了目前其它通信电路体积大、频率低、效率低、布线复杂、调节性差等问题。
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公开(公告)号：CN116317583A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310399153.7
申请日：2023-04-14
Applicant: 天津工业大学
Abstract: 本发明提供一种基于GaN器件的磁集成双频DC‑DC变换器，其特征在于包括输入直流电源、输入滤波电容、氮化镓开关管、滤波电感以及输出电容和负载电阻，其中集成部分主要将两个电感集成在一副磁芯当中，使整个变换器仅含有一个整体的磁性元件，解决了现如今磁性元件的体积和重量占整机比例较大的问题，便于实际设计和应用，提高了变换器的功率密度，同时该集成方法可以使磁芯磁通密度较为均匀，增强了磁芯利用率，可以有效降低成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115639508A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202211233327.4
申请日：2022-10-10
Applicant: 天津工业大学
IPC: G01R33/12 , G01R27/02 , G01N21/65 , G01N23/04 , G01N23/20058 , G01N23/20091 , G01N23/203 , G01N23/207 , G01N23/2251 , G01N27/04 , G01N27/14
Abstract: 本发明涉及电力系统防护技术领域，具体涉及一种高压下二维碲化物电输运特性及结构检测方法，包括采用固相反应法制备WTe2‑xSe2多晶样品。本发明利用固相反应法，成功制备纯净的WTe2‑xSe2多晶样品，研究WTe2‑xSe2多晶在高压下温度－电阻、磁场－电阻效应的影响，为二维碲化物电输运特性检测提供了详细的参考实验方法，同时，通过对制备得到的粉体和块体材料利用XRD表征检测技术、对比三强衍射峰的位置及高度、场发射扫描电子显微镜、透射电子显微镜、电子背散射衍射和电子探针技术，确定材料中所包含的物相以及与之对应的晶体结构，并检测制备WTe2‑xSe2多晶样品的第二相的分布情况的表征，为二维碲化物结构检测提供了详细的参考实验方法。
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公开(公告)号：CN115116986A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202110300528.0
申请日：2021-03-22
Applicant: 天津工业大学
IPC: H01L23/367 , H01L25/07 , H01L23/31
Abstract: 本发明公开了一种3D双面散热封装结构的功率模块，包括：裸芯片、引线、金属垫片、功率端子、上层直接覆铜陶瓷基板(DBC基板)和下层DBC基板、绝缘密封层；所述裸芯片通过焊料烧结在上、下DBC基板，采用引线实现电气连接；所述功率端子实现外部电路和内部功率回路的电气连接；所述金属垫片通过焊料烧结在上、下DBC基板之间，起支撑及电气互连作用。本发明主要缓解功率半导体模块内多芯片发热产生的热耦合效应问题，提升模块的散热能力，降低芯片结温，提高模块热可靠性。
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公开(公告)号：CN110993755B
公开(公告)日：2021-09-21
申请号：CN201911308732.6
申请日：2019-12-18
Applicant: 天津工业大学
Abstract: 本发明公开了一种电注入三维GaN核壳结构Nano‑LED及制造方法，涉及半导体发光技术领域，其特征在于：蓝宝石衬底上刻蚀N型GaN纳米柱；在N型GaN纳米柱的底部和顶部制备SiO2层或SiNx钝化层；在N型GaN纳米柱侧壁外延生长N型GaN得到的六方对称N型GaN晶柱；在六方对称N型GaN晶柱侧壁上生长InxGa(1‑x)N/GaN多量子阱和P型AlxGa(1‑x)N渐变组分电子阻挡层；在P型AlxGa(1‑x)N渐变组分电子阻挡层外生长P型GaN；在P型GaN外部外延生长N型重掺杂GaN层；在N型重掺杂GaN层外淀积透明ITO电极。本发明能够提高器件辐射复合速率和内量子效率。
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公开(公告)号：CN109037267B
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN201810698277.4
申请日：2018-06-29
Applicant: 天津工业大学
Abstract: 本发明公开了一种金属光子晶体耦合增强nano‑LED阵列及制造方法，自下而上包括：Si衬底、Ni/Au金属阵列和p电极连接线、nano‑LED阵列、n型GaN层、Ti/Au金属层；nano‑LED阵列结构自下而上包括：Ni/Au金属层、Ag金属层、p型GaN层、量子阱层、量子阱层上的n型GaN层；每个nano‑LED单体有单独的p接触，所有nano‑LED单体共用一个n接触；Ag金属层在阵列中构成Ag金属光子晶体，利用光子禁带和金属表面等离激元的性质增强发光效率，表面等离激元由Ag金属层产生；中间部分为倒装结构，利用Ag金属光子晶体的反射镜作用减少了底部衬底的吸收。该专利大幅度提高发光效率。
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公开(公告)号：CN112353116A
公开(公告)日：2021-02-12
申请号：CN202011099682.8
申请日：2020-10-14
Applicant: 天津工业大学
Abstract: 本发明涉及一种智能矫正坐姿防的近视座椅装置，其特征在于通过人体坐姿智能检测系统、桌椅高度智能匹配系统、人体坐姿智能矫正系统来培养广大学生养成正确坐姿的习惯，达到防止近视的目的。装置的基础组成包括桌面支架、桌底支架、桌子底做、椅子底座和椅子支架；装置的控制系统包括高度匹配模块、坐姿检测模块和坐姿矫正模块。本发明通过智能高度匹配、智能检测坐姿、智能矫正坐姿等功能，实现了青少年在日常学习中矫正坐姿防近视，装置结构简单，功能多样，具有较高的实际应用价值。
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