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公开(公告)号：CN118324299A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410427128.X
申请日：2024-04-10
Applicant: 天津大学
Abstract: 本发明公开了一种污水处理智慧系统和方法，属于污(废)水处理技术领域，其包括用于定向分离污泥的筛选装置，用于对筛选出来的污泥进行高效浓缩的污泥浓缩装置，厌氧发酵罐，污泥脱水间；本发明通过对剩余污泥污泥筛选、污泥浓缩以及厌氧发酵相耦合，可实现同步的污泥内碳源的深度挖掘和污泥原位减量，一方面可不加或少加外碳源，另一方面可实现污泥减量30％以上。
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公开(公告)号：CN118324299B
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410427128.X
申请日：2024-04-10
Applicant: 天津大学
Abstract: 本发明公开了一种污水处理智慧系统和方法，属于污(废)水处理技术领域，其包括用于定向分离污泥的筛选装置，用于对筛选出来的污泥进行高效浓缩的污泥浓缩装置，厌氧发酵罐，污泥脱水间；本发明通过对剩余污泥污泥筛选、污泥浓缩以及厌氧发酵相耦合，可实现同步的污泥内碳源的深度挖掘和污泥原位减量，一方面可不加或少加外碳源，另一方面可实现污泥减量30％以上。
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公开(公告)号：CN107658220B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201710718907.5
申请日：2017-08-21
Applicant: 天津大学
IPC: H01L21/285 , C23C14/35 , C23C14/14
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体芯片正面铝层金属化方法；首先对功率半导体芯片正面等离子清洗；然后对功率半导体芯片正面镀Ti；再进行对功率半导体芯片正面镀Ag。本发明采用磁控溅射镀膜机。设计一个夹具托盘，该夹具托盘上有数个承载芯片的小槽，能够完成多个芯片镀膜。通过以上步骤使用真空磁控溅射镀膜完成功率半导体芯片的正面可焊金属化，Ti中间层的存在，使得Al和Ag之间存在热膨胀系数，密度的过渡，Ag层不容易脱落，最终达到双面烧结的要求。完成功率半导体芯片正面可焊金属化。正面金属化的结果使芯片能够实行双面烧结，提高散热效率和模块封装功率密度。
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公开(公告)号：CN107658220A
公开(公告)日：2018-02-02
申请号：CN201710718907.5
申请日：2017-08-21
Applicant: 天津大学
IPC: H01L21/285 , C23C14/35 , C23C14/14
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体芯片正面铝层金属化方法；首先对功率半导体芯片正面等离子清洗；然后对功率半导体芯片正面镀Ti；再进行对功率半导体芯片正面镀Ag。本发明采用磁控溅射镀膜机。设计一个夹具托盘，该夹具托盘上有数个承载芯片的小槽，能够完成多个芯片镀膜。通过以上步骤使用真空磁控溅射镀膜完成功率半导体芯片的正面可焊金属化，Ti中间层的存在，使得Al和Ag之间存在热膨胀系数，密度的过渡，Ag层不容易脱落，最终达到双面烧结的要求。完成功率半导体芯片正面可焊金属化。正面金属化的结果使芯片能够实行双面烧结，提高散热效率和模块封装功率密度。
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