公开(公告)号：CN108535227B

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201810280315.4

申请日：2018-04-02

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 胡玉峰 ,  张俊鹏 ,  刘杰 ,  邢瀚文

IPC: G01N21/64

Abstract: 本发明属于环境中样品检测技术领域，公开一种CdTe QD@ZIF‑8纳米复合材料在检测铬离子中的应用。将CdTe QDs@ZIF‑8纳米复合材料分散于HEPEs缓冲溶液中，加入不同浓度的Cr6+和Cr3+离子的标准样品，化学稳定后，利用荧光光谱仪检测荧光强度，绘制F/F0随铬离子浓度变化的标准曲线；将CdTe QDs@ZIF‑8纳米复合材料分散于HEPEs缓冲溶液中，加入不同含有铬离子的待测样品，化学稳定后，利用荧光光谱仪检测荧光强度，通过标准曲线确定待测样品中Cr6+的含量，同时根据荧光强度区分Cr6+和Cr3+。本发明直接相比于其他检测铬离子的方法，操作简单，成本低，离子抗干扰能力强，能够区分Cr3+和Cr6+，在铬离子检测中具有较大优势。

公开(公告)号：CN108535227A

公开(公告)日：2018-09-14

申请号：CN201810280315.4

申请日：2018-04-02

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 胡玉峰 ,  张俊鹏 ,  刘杰 ,  邢瀚文

IPC: G01N21/64

Abstract: 本发明属于环境中样品检测技术领域，公开一种CdTe QD@ZIF-8纳米复合材料在检测铬离子中的应用。将CdTe QDs@ZIF-8纳米复合材料分散于HEPEs缓冲溶液中，加入不同浓度的Cr6+和Cr3+离子的标准样品，化学稳定后，利用荧光光谱仪检测荧光强度，绘制F/F0随铬离子浓度变化的标准曲线；将CdTe QDs@ZIF-8纳米复合材料分散于HEPEs缓冲溶液中，加入不同含有铬离子的待测样品，化学稳定后，利用荧光光谱仪检测荧光强度，通过标准曲线确定待测样品中Cr6+的含量，同时根据荧光强度区分Cr6+和Cr3+。本发明直接相比于其他检测铬离子的方法，操作简单，成本低，离子抗干扰能力强，能够区分Cr3+和Cr6+，在铬离子检测中具有较大优势。

公开(公告)号：CN110441184B

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201910655514.3

申请日：2019-07-19

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 胡玉峰 ,  邢瀚文 ,  刘名扬 ,  宋芳漪 ,  吴明火 ,  柳丽芬

IPC: G01N5/02

Abstract: 一种固相印迹聚合物修饰QCM‑D传感器的制备方法，本方法首先将模板分子固定在磁性四氧化三铁颗粒上，并在分子印迹聚合物的制备过程中引入该固相基质作为模板，从而得固相印迹聚合物，然后采用制备得到的印迹聚合物修饰石英晶体微天平传感器，最后将其成功应用于四环素的特异性识别中。本发明的优点是：采用固相印迹技术制备得到的分子印迹聚合物模板易洗脱，同时将大量印迹位点聚集于表面达到提升印迹聚合物识别能力的目的。采用固相印迹聚合物修饰的QCM‑D传感器，可以选择性地识别低浓度的目标物分子(例如50‑300ng/mL的四环素)。

公开(公告)号：CN110441184A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201910655514.3

申请日：2019-07-19

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 胡玉峰 ,  邢瀚文 ,  刘名扬 ,  宋芳漪 ,  吴明火 ,  柳丽芬

IPC: G01N5/02

Abstract: 一种固相印迹聚合物修饰QCM-D传感器的制备方法，本方法首先将模板分子固定在磁性四氧化三铁颗粒上，并在分子印迹聚合物的制备过程中引入该固相基质作为模板，从而得固相印迹聚合物，然后采用制备得到的印迹聚合物修饰石英晶体微天平传感器，最后将其成功应用于四环素的特异性识别中。本发明的优点是：采用固相印迹技术制备得到的分子印迹聚合物模板易洗脱，同时将大量印迹位点聚集于表面达到提升印迹聚合物识别能力的目的。采用固相印迹聚合物修饰的QCM-D传感器，可以选择性地识别低浓度的目标物分子(例如50-300ng/mL的四环素)。