公开(公告)号：CN110441184A

公开(公告)日：2019-11-12

申请号：CN201910655514.3

申请日：2019-07-19

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 胡玉峰 ,  邢瀚文 ,  刘名扬 ,  宋芳漪 ,  吴明火 ,  柳丽芬

IPC: G01N5/02

Abstract: 一种固相印迹聚合物修饰QCM-D传感器的制备方法，本方法首先将模板分子固定在磁性四氧化三铁颗粒上，并在分子印迹聚合物的制备过程中引入该固相基质作为模板，从而得固相印迹聚合物，然后采用制备得到的印迹聚合物修饰石英晶体微天平传感器，最后将其成功应用于四环素的特异性识别中。本发明的优点是：采用固相印迹技术制备得到的分子印迹聚合物模板易洗脱，同时将大量印迹位点聚集于表面达到提升印迹聚合物识别能力的目的。采用固相印迹聚合物修饰的QCM-D传感器，可以选择性地识别低浓度的目标物分子(例如50-300ng/mL的四环素)。

公开(公告)号：CN110441184B

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN201910655514.3

申请日：2019-07-19

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 胡玉峰 ,  邢瀚文 ,  刘名扬 ,  宋芳漪 ,  吴明火 ,  柳丽芬

IPC: G01N5/02

Abstract: 一种固相印迹聚合物修饰QCM‑D传感器的制备方法，本方法首先将模板分子固定在磁性四氧化三铁颗粒上，并在分子印迹聚合物的制备过程中引入该固相基质作为模板，从而得固相印迹聚合物，然后采用制备得到的印迹聚合物修饰石英晶体微天平传感器，最后将其成功应用于四环素的特异性识别中。本发明的优点是：采用固相印迹技术制备得到的分子印迹聚合物模板易洗脱，同时将大量印迹位点聚集于表面达到提升印迹聚合物识别能力的目的。采用固相印迹聚合物修饰的QCM‑D传感器，可以选择性地识别低浓度的目标物分子(例如50‑300ng/mL的四环素)。