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公开(公告)号：CN118591260A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202411074369.7
申请日：2024-08-07
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明属于自旋电子学材料与器件技术领域，提供了异质结、磁性异质结和磁性隧道结单元及其应用。本发明将异质结中插层的材质限定为Pt、Ta、W、Mo、Zr、Cu、V、Hf、Ir、Nb、Cr、Ru、Au、Ag等金属，TiMo、TiPb、NiFe、MoW、NbW等合金，NiO、TiO、VO、WO3、TaO、ZrO2、Al2O3、CuO、Fe2O3、Fe3O4、ZnO、MoO2、MgO等氧化物，MnPS3、NiPS3、FeI2、FePS3等绝缘体材料。本发明优化插层的材质，能够阻止异质结发生界面反应，使异质结在半导体集成后道工艺中可经受350~400℃的高温处理过程，具有更高的热稳定性。
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