公开(公告)号：CN118591260A

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN202411074369.7

申请日：2024-08-07

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 王译 ,  冯莹 ,  李文波 ,  张丽艳 ,  杨柳 ,  谭忠宇

IPC: H10N50/80 ,  H10N50/10

Abstract: 本发明属于自旋电子学材料与器件技术领域，提供了异质结、磁性异质结和磁性隧道结单元及其应用。本发明将异质结中插层的材质限定为Pt、Ta、W、Mo、Zr、Cu、V、Hf、Ir、Nb、Cr、Ru、Au、Ag等金属，TiMo、TiPb、NiFe、MoW、NbW等合金，NiO、TiO、VO、WO3、TaO、ZrO2、Al2O3、CuO、Fe2O3、Fe3O4、ZnO、MoO2、MgO等氧化物，MnPS3、NiPS3、FeI2、FePS3等绝缘体材料。本发明优化插层的材质，能够阻止异质结发生界面反应，使异质结在半导体集成后道工艺中可经受350~400℃的高温处理过程，具有更高的热稳定性。

公开(公告)号：CN116096213A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202111271197.9

申请日：2021-10-29

Applicant: 华为技术有限公司 ,  大连理工大学

Inventor： 王译 ,  李文波 ,  冯莹 ,  罗时江 ,  赵俊峰 ,  闫鑫

IPC: H10N50/20 ,  H10N50/80 ,  H10B61/00

Abstract: 本申请实施例提供了一种自旋波器件及存储器，该自旋波器件包括：强自旋轨道耦合材料层，第一磁性层，以及设置于所述强自旋轨道耦合材料层和所述第一磁性层之间的自旋波通道层；设置于所述强自旋轨道耦合材料层和所述自旋波通道层之间的至少一个插层；其中，所述强自旋轨道耦合材料层受电流驱动产生自旋流，所述第一磁性层受所述电流驱动发生磁矩进动或翻转。通过在器件中设置插层，提高磁矩进动或者翻转的效率，降低器件功耗，提高器件的热稳定性。