公开(公告)号：CN118908734A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410958472.1

申请日：2024-07-17

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 王柄筑 ,  沙建军 ,  郭欢 ,  苏成 ,  代吉祥 ,  祖宇飞

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/56 ,  C04B35/622 ,  C04B35/65 ,  C04B35/645

Abstract: 一种耐烧蚀(Zr,Ti)B2‑(Zr,Ti)C‑SiC陶瓷的制备方法，它属于高温结构陶瓷领域。本发明的目的是要解决现有方法制备的ZrB2‑ZrC‑SiC块体陶瓷致密化烧结困难，导致制备温度较高以及ZrB2‑ZrC‑SiC陶瓷高温烧蚀过程中表面烧蚀层易脱落，耐烧蚀性能不足的问题。方法：一、制备混合浆料；二、制备复合粉体；三、快速热压烧结。本发明提出一种耐烧蚀(Zr,Ti)B2‑(Zr,Ti)C‑SiC陶瓷的低温制备方法，利用原料粉体ZrSi2、TiSi2、B4C和C的高烧结活性，以及反应烧结过程中粉体间的反应热，促进陶瓷的致密化烧结，实现致密块体陶瓷的低温制备，其具有优异的耐烧蚀性能。

公开(公告)号：CN119635789A

公开(公告)日：2025-03-18

申请号：CN202411874399.6

申请日：2024-12-19

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 沙建军 ,  郭欢 ,  王宏瑞 ,  王柄筑 ,  苏成 ,  代吉祥

IPC: B28B1/00 ,  B33Y30/00 ,  B33Y10/00 ,  B33Y40/10

Abstract: 本发明公开一种碳纤维增韧陶瓷基复合材料3D打印设备、打印方法及应用。通过纤维束导引组件的特定结构设计，利用张紧滑轮在碳纤维束传送过程中对其张紧、撑开，可扩大碳纤维束与陶瓷浆料之间的浸渍面并增加浸渍时间，极大地改善了碳纤维束与陶瓷浆料之间的浸润性；同时，复合材料挤出口的设计，可在浸渍了陶瓷浆料的碳纤维束排出时，对碳纤维束和陶瓷浆料进行周向挤压，此设计可减缓碳纤维束在复合材料挤出口的排出速度，使陶瓷浆料在打印头底端中心的流速下降，从而改善碳纤维束与陶瓷浆料之间的摩擦力，提高陶瓷基复合材料的DIW成型效率和材料力学性能，能够满足一些飞行器在超常服役环境下的服役需求。

公开(公告)号：CN118811797A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410891578.4

申请日：2024-07-04

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 沙建军 ,  沙如意 ,  姜伟 ,  郭欢 ,  王柄筑 ,  代吉祥

IPC: C01B32/05 ,  B01J13/00

Abstract: 本发明属于气凝胶制备技术领域，具体涉及一种具有极低收缩率的碳气凝胶复合材料及其制备方法。本发明针对以酚醛树脂为原料通过加热固化、常压干燥和碳化工艺制备的碳气凝胶会发生显著干燥收缩、碳化收缩以及开裂的问题，以柔软的三聚氰胺泡沫为模板，制备出一种具有三维核壳骨架结构的硬质碳泡沫。将此碳泡沫作为增强相，制备出一种具有超低干燥和碳化收缩率、疏水且宏观微观均无裂纹的碳气凝胶复合材料。本发明解决了碳气凝胶制备过程中易于发生显著干燥收缩、碳化收缩以及开裂的问题。所制备的碳气凝胶复合材料具有超低的密度和导热系数，可应用于高温隔热、吸附分离、电磁屏蔽、催化剂载体和超级电容器等领域中。

公开(公告)号：CN118878332B

公开(公告)日：2025-03-04

申请号：CN202410958473.6

申请日：2024-07-17

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 沙建军 ,  郭欢 ,  王柄筑 ,  苏成 ,  代吉祥 ,  祖宇飞

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 一种多元超高温(Hf,Ta)B2‑(Hf,Ta)C‑SiC陶瓷及其制备方法，它属于超高温陶瓷可控制备领域。本发明的目的是要解决目前制备多元超高温固溶陶瓷的烧结温度高，低温致密化困难，无法在低温条件下制备出性能优异的陶瓷的问题。本发明以HfSi2、TaSi2、B4C和C为原料，通过原位反应结合快速热压烧结低温快速制备而成；在低至1600～1800℃下仅用5～15min就实现了致密化；本发明制备的(Hf,Ta)B2‑(Hf,Ta)C‑SiC陶瓷表现出比HfB2‑HfC‑SiC陶瓷更优异的力学性能，Ta元素的引入易形成低熔点相且有助于形成致密的连续烧蚀层，可显著改善抗烧蚀性能。

公开(公告)号：CN118878332A

公开(公告)日：2024-11-01

申请号：CN202410958473.6

申请日：2024-07-17

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 沙建军 ,  郭欢 ,  王柄筑 ,  苏成 ,  代吉祥 ,  祖宇飞

IPC: C04B35/58 ,  C04B35/622 ,  C04B35/645

Abstract: 一种多元超高温(Hf,Ta)B2‑(Hf,Ta)C‑SiC陶瓷及其制备方法，它属于超高温陶瓷可控制备领域。本发明的目的是要解决目前制备多元超高温固溶陶瓷的烧结温度高，低温致密化困难，无法在低温条件下制备出性能优异的陶瓷的问题。本发明以HfSi2、TaSi2、B4C和C为原料，通过原位反应结合快速热压烧结低温快速制备而成；在低至1600～1800℃下仅用5～15min就实现了致密化；本发明制备的(Hf,Ta)B2‑(Hf,Ta)C‑SiC陶瓷表现出比HfB2‑HfC‑SiC陶瓷更优异的力学性能，Ta元素的引入易形成低熔点相且有助于形成致密的连续烧蚀层，可显著改善抗烧蚀性能。