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公开(公告)号：CN116197770A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310026723.8
申请日：2023-01-09
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种回转曲面全口径仿形抛光方法，包括以下步骤：测量抛光液流变特性；进行平面基础实验；检测回转曲面零件的初始情况；设计制作仿形抛光工具；进行仿形抛光；检测表面质量。本发明利用材料去除率公式及线速度计算公式，对抛光过程中回转曲面零件不同部位处的材料去除进行了计算，并基于此计算设计优化仿形抛光工具面形，实现回转曲面材料各部位均匀去除，保证抛光前后面形精度。本发明基于数值计算的方法可以降低预实验的试错成本。本发明通过设计仿形工具的面形，可实现回转曲面零件的全口径抛光，大大提高了抛光效率。
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公开(公告)号：CN117111406A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202311010604.X
申请日：2023-08-11
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于仿形模具的曲面涂覆光刻胶方法，包括以下步骤：仿形模具加工；表面处理；注胶；封装；曝光；脱模。本发明通过制作曲面元件仿形模具，使得曲面元件涂胶面与仿形模具之间可以形成一个密闭的大小固定的空间，通过将空间内注满光刻胶从而避免由于光刻胶流动造成的涂覆不均匀现象，进而一步到位实现胶膜的均匀性涂抹，避免了由于重力导致光刻胶滴流造成的涂胶不均匀的问题。避免了因涂胶不均匀导致的曝光区域光强分布不均所导致的结构缺陷多、精度差的问题。本发明采用凹凸模的方式涂胶，除胶膜生成过程的必须用量外基本无需额外的光刻胶。浪费少，成本低廉。
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公开(公告)号：CN117140197A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311010603.5
申请日：2023-08-11
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开了一种基于掩膜保护及非接触抛光工艺的微细结构制造方法，包括以下步骤：预处理；涂胶；曝光；显影；非接触抛光；除胶检测。本发明在微细结构加工过程中，光刻胶未覆盖的基材区域被抛光，产生材料去除，而受到光刻胶保护的区域，即掩膜保护区域，基材未产生材料去除，只有光刻胶被去除。由于光刻胶的材料去除率小于基材的材料去除率，因而掩膜保护区域与未被保护区域之间产生高差，即所需制造的微细结构。本发明利用非接触抛光工艺材料去除机理为剪切去除，不会对微细结构的侧壁产生影响，即不会产生侧蚀现象，因而加工出的微细结构面形精度较高。本发明不涉及到刀具、砂轮等工具的机械去除，因而制造出的表面不存在毛刺、刀纹等缺陷。
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