公开(公告)号：CN101835334B

公开(公告)日：2013-01-30

申请号：CN201010300432.6

申请日：2010-01-19

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 牟宗信 ,  贾莉 ,  牟晓东 ,  王春 ,  刘升光

IPC: H05H1/16 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明公开了一种交叉场放电共振耦合的控制方法，属于电工工程技术领域。采用在交叉场放电离子源中由电场和磁场互相正交形成封闭或开放的交叉场空间的电场、磁场结构，磁控靶表面电场和磁场相互正交构成磁阱结构；磁控靶和与之平行的偏压基片之间或者开放端之间形成了另一种轴向势阱结构，静电波动在这两种势阱结构中分别形成驻波共振和相互耦合共振，与电源特性相匹配形成耦合共振放电；通过调整放电空间中的电极结构、形式和参数匹配能够形成单一的、两个或两个以上势阱结构，并分别发生静电驻波和发生耦合共振，本发明的有益效果是系统结构简单、放电效率高。

公开(公告)号：CN102254778A

公开(公告)日：2011-11-23

申请号：CN201010301411.6

申请日：2010-02-09

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 牟宗信 ,  牟晓东 ,  贾莉 ,  郝胜智 ,  王春 ,  董闯

IPC: H01J37/34

Abstract: 本发明公开了一种实现高脉冲功率磁控放电方法，属于电工工程技术领域。其特征是该方法实现了通过调整横向磁场特性和非平衡磁场特性与磁控靶辉光放电的放电条件、瞬态特性相匹配，由电源的谐振特性与磁控靶的谐振特性相匹配，实现自触发和形成高脉冲功率磁控放电；磁控靶前设置空心阴极结构提高自触发等离子体的初始密度和放电功率密度，实现高脉冲功率磁控放电；与现有高脉冲功率磁控放电方法相比具有结构简单，对放电系统和电源要求低，工作可靠，从而实现更高工作效率和可靠性的放电方法。

公开(公告)号：CN101835334A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010300432.6

申请日：2010-01-19

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 牟宗信 ,  贾莉 ,  牟晓东 ,  王春 ,  刘升光

IPC: H05H1/16 ,  H05H1/46

Abstract: 本发明公开了一种交叉场放电共振耦合的控制方法，属于电工工程技术领域。采用在交叉场放电离子源中由电场和磁场互相正交形成封闭或开放的交叉场空间的电场、磁场结构，磁控靶表面电场和磁场相互正交构成磁阱结构；磁控靶和与之平行的偏压基片之间或者开放端之间形成了另一种轴向势阱结构，静电波动在这两种势阱结构中分别形成驻波共振和相互耦合共振，与电源特性相匹配形成耦合共振放电；通过调整放电空间中的电极结构、形式和参数匹配能够形成单一的、两个或两个以上势阱结构，并分别发生静电驻波和发生耦合共振，本发明的有益效果是系统结构简单、放电效率高。

公开(公告)号：CN101553075A

公开(公告)日：2009-10-07

申请号：CN200910302325.4

申请日：2009-05-15

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 牟宗信 ,  赵德有 ,  贾莉 ,  牟晓东 ,  刘升光

IPC: H05H1/46

Abstract: 本发明公开了一种交叉场放电的控制方法，属于电工工程技术领域。通过控制交叉场中的磁场强度、磁场空间分布以及磁场特性和电源电压、放电气压和气体成分互相匹配来调整放电中的各种磁效应，调整放电状态为稳定放电或者等离子体磁流体行驻波共振的状态。在构成交叉场的磁场中磁场感应强度因在0－3T的范围之内，电压的范围在0－10000V之间，通过使用频率范围为0Hz－1MHz、电源电压在0－10000V之间的高功率脉冲开关电源供电或者直接使用0－10000V的可调直流电源为放电系统提供电能。本发明的有益效果是系统结构简单、放电效率高。

公开(公告)号：CN101562937A

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200910302616.3

申请日：2009-05-26

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 牟宗信 ,  刘升光 ,  贾莉 ,  牟晓东 ,  张鹏云 ,  郝胜智 ,  李国卿 ,  董闯

IPC: H05H1/46

Abstract: 本发明公开了一种放电方法，属于电工工程技术领域。其特征是通过调整放电条件与在放电中形成的电极鞘层不稳定性或等离子体磁流体不稳定性之间构成匹配，形成稳定的工作方式或者实现等离子体的驻波共振工作模式；这种不稳定性是放电等离子体内在属性或是通过外加激励。本发明的有益效果是系统结构简单、放电效率高。