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公开(公告)号：CN1837402A
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200610076993.6
申请日：2006-04-14
Applicant: 大连理工大学
Inventor： 张鹏云
IPC: C23C16/32 , C23C16/513 , C23C16/52
Abstract: 本发明属于低温等离子体化学技术领域。本发明由不包含基片的温度测控的等离子体辅助沉积碳化硅薄膜的装置加上尘埃颗粒的监控部分组成，其特征是：由激光器和光具组来照明尘埃颗粒，由记录设备和计算机来记录和分析尘埃颗粒的状况，沉积碳化硅薄膜的反应室设计成透明的或开一个以上观察窗口，用微凹的驱动极，直流负偏压电源，从反应室外向反应室内投入尘埃颗粒的部件来控制尘埃颗粒。本发明的效果和益处是能克服传统方法中由于高温所致的种种缺点，能够在常温下沉积碳化硅薄膜，可广泛用于需要沉积碳化硅薄膜的各种领域，改变工作介质，还可沉积其他类型的薄膜。
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公开(公告)号：CN101205602A
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200710159083.9
申请日：2007-12-18
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明公开发表了一种利用驻波共振耦合电能的磁控放电方法。其特征是在永磁体磁极上安置铁磁性的极靴改变阴极表面的磁场分布，在构成交叉场的磁场中磁场感应强度因在应在50mT－300mT的范围之内，电压的范围是在220－3000V之间，平行电极的方向上磁场和电场正交的交叉场放电形成等离子体静电驻波共振机制耦合电源能量，通过使用频率范围为5Hz－100KHz的高功率脉冲开关电源供电或者直接使用0－3000V的可调直流电源为放电系统提供电能。本发明的有益效果是系统具有结构简单、放电效率高的优点，应用于溅射镀膜时，能够提高薄膜沉积过程中的等离子体离化率，从而达到增强薄膜和基体的结合强度、保证沉积工艺的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100532634C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200710159083.9
申请日：2007-12-18
Applicant: 大连理工大学
IPC: C23C14/35
Abstract: 本发明公开了一种利用驻波共振耦合电能的磁控放电方法。其特征是在永磁体磁极上安置铁磁性的极靴改变阴极表面的磁场分布，在构成交叉场的磁场中磁场感应强度因在应在50mT-300mT的范围之内，电压的范围是在220-3000V之间，平行电极的方向上磁场和电场正交的交叉场放电形成等离子体静电驻波共振机制耦合电源能量，通过使用频率范围为5Hz-100kHz的高功率脉冲开关电源供电或者直接使用0-3000V的可调直流电源为放电系统提供电能。本发明的有益效果是系统具有结构简单、放电效率高的优点，应用于溅射镀膜时，能够提高薄膜沉积过程中的等离子体离化率，从而达到增强薄膜和基体的结合强度、保证沉积工艺的目的。
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公开(公告)号：CN1948547A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200610134219.6
申请日：2006-11-06
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明公开发表了一种用于超高功率非平衡磁控溅射的电源方法，主要用于表面工程技术领域。其特征在于：采用球系开关组和脉冲形成线组控制和形成超高功率脉冲放电，实现超高功率的脉冲非平衡磁控溅射的溅射沉积；使用唯一的一个主电源系统供给多路脉冲形成线组和对应的球系开关组，为不同的非平衡磁控溅射靶供给高功率脉冲，实现扩展输出；同时实现微机智能控制，频率参数连续可调，能够防止过流、过压、过热的损害。本发明的优点是电源结构简单、电源稳定、控制方便、工作效率高、耐冲击、参数调节范围宽广、放电系统能够任意扩展，能够提高薄膜沉积过程中的等离子体离化率，从而达到增强薄膜和基体的结合强度、保证沉积工艺的目的。
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公开(公告)号：CN1873052A
公开(公告)日：2006-12-06
申请号：CN200610076998.9
申请日：2006-04-14
Applicant: 大连理工大学
Inventor： 张鹏云
IPC: C23C16/52 , C23C16/505
Abstract: 本发明属于低温等离子体化学领域。其特征是：对射频电源进行脉冲调制，就是使射频在一段时间内输出(射频工作)，下一段时间内不输出(射频休止)，二者交替进行，即射频工作方式是脉冲的；对射频电源可以一重调制，也可二重或多重调制；调节脉冲调制的频率和占空比，控制尘埃颗粒的大小，并在射频休止时间内将尘埃颗粒抽走；在这个阶段，可以选择适当的尘埃颗粒让其掺入制备的薄膜中。本发明的效果和益处是可控制等离子体中尘埃颗粒的大小，可对薄膜的性质进行适当的控制，可广泛用于沉积薄膜的各种领域，带来巨大的经济效益。
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公开(公告)号：CN102306469A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110197884.0
申请日：2011-07-14
Applicant: 大连理工大学
IPC: G09B23/20
Abstract: 本发明属于低温等离子体化学技术领域。本发明由反应生成尘埃等离子体的装置加上尘埃斑图的监控部分组成，其特征是：由激光器和光具组来照明尘埃斑图，由记录设备和计算机来存储和分析尘埃颗粒的状况，形成尘埃斑图的反应室设计成透明的圆筒状，用微凹的驱动极，直流负偏压电源，调控反应室内的气压，电源的输出功率来控制尘埃斑图。本发明的效果和益处是能直观地观测尘埃斑图的形成和演化，能够通过对尘埃斑图的分析来研究尘埃颗粒的生长，运动等规律，可广泛用于大中专院校的物理实验设置中。
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公开(公告)号：CN102281698A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN201110201567.1
申请日：2011-07-19
Applicant: 大连理工大学
IPC: H05H1/46
Abstract: 本发明属于等离子体应用领域，涉及一种用脉冲调制改善等离子体特性的方法。其特征是对电源(频率在2MHz-100MHz区间)进行脉冲调制，就是使电源电压在一段时间内输出(电源工作)，下一段时间内不输出(电源休止)，二者交替进行，即电源工作方式是脉冲的；调节脉冲调制的频率和占空比，结合其他放电参数的调节，改善等离子体的特性。本发明的效果和益处是可综合控制等离子体中各成份的温度和密度，可广泛用于等离子体应用的各种领域，带来巨大的经济效益。
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