公开(公告)号：CN101915876B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201010229632.7

申请日：2010-07-16

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 林莉 ,  李继承 ,  李喜孟 ,  吴迪 ,  雷明凯

IPC: G01R27/02

Abstract: 一种高激励电压的压电晶片电阻抗测试系统，属于压电阻抗法结构健康监测领域。该系统首先利用铜箔和强力胶将压电晶片固定到试样待监测部位，选定监测频率范围和参考电阻的阻值，连接并校正阻抗测试系统。然后利用波形发射卡激励压电晶片，在选定的监测频率范围内以0.1kHz为间隔进行逐点激励和阻抗测量。在激励压电晶片的同时利用数字示波器测量出阻抗测量电路两端的输入电压，参考电阻两端的分电压及两者之间的时间差。最后计算出压电晶片电阻抗的模值、相位、实部和虚部信号。本套测试系统激励电压高达10-35V，所选用仪器均为实验室常规设备，操作简单，测量精度高，重复性好，特别适用于大型结构和工厂的在线监测。

公开(公告)号：CN102353700B

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201110179939.5

申请日：2011-06-30

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 林莉 ,  李继承 ,  陈军 ,  罗忠兵 ,  李喜孟 ,  雷明凯

IPC: G01N27/04

Abstract: 一种基于压电阻抗法的热障涂层热生长氧化层无损检测方法，属于材料无损检测与评价技术领域。该系统由阻抗分析仪、压电晶片、涂层试样、计算机等组成。首先利用强力胶将压电晶片固定到涂层试样待检测部位，焊接导线并校正阻抗分析仪。然后利用阻抗分析仪在兆赫级频带内，对压电晶片进行电阻抗模值信号测量，根据测量结果选取谐振峰分布集中的频带作为检测频段，确定采样点数和采样频率。在选定的检测频段内对氧化前后的涂层试样分别进行电阻抗模值信号测量。最后根据电阻抗信号测量结果，计算出氧化损伤识别指数RMSD，对形成热生长氧化层进行判定。本方法具有100％无损检测的优点，成本低，效率高，操作方便，易于实用化，具有较大的经济效益和社会效益。

公开(公告)号：CN101915876A

公开(公告)日：2010-12-15

申请号：CN201010229632.7

申请日：2010-07-16

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 林莉 ,  李继承 ,  李喜孟 ,  吴迪 ,  雷明凯

IPC: G01R27/02

Abstract: 一种高激励电压的压电晶片电阻抗测试系统，属于压电阻抗法结构健康监测领域。该系统首先利用铜箔和强力胶将压电晶片固定到试样待监测部位，选定监测频率范围和参考电阻的阻值，连接并校正阻抗测试系统。然后利用波形发射卡激励压电晶片，在选定的监测频率范围内以0.1kHz为间隔进行逐点激励和阻抗测量。在激励压电晶片的同时利用数字示波器测量出阻抗测量电路两端的输入电压，参考电阻两端的分电压及两者之间的时间差。最后计算出压电晶片电阻抗的模值、相位、实部和虚部信号。本套测试系统激励电压高达10-35V，所选用仪器均为实验室常规设备，操作简单，测量精度高，重复性好，特别适用于大型结构和工厂的在线监测。

公开(公告)号：CN102353700A

公开(公告)日：2012-02-15

申请号：CN201110179939.5

申请日：2011-06-30

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 林莉 ,  李继承 ,  陈军 ,  罗忠兵 ,  李喜孟 ,  雷明凯

IPC: G01N27/04

Abstract: 一种基于压电阻抗法的热障涂层热生长氧化层无损检测方法，属于材料无损检测与评价技术领域。该系统由阻抗分析仪、压电晶片、涂层试样、计算机等组成。首先利用强力胶将压电晶片固定到涂层试样待检测部位，焊接导线并校正阻抗分析仪。然后利用阻抗分析仪在兆赫级频带内，对压电晶片进行电阻抗模值信号测量，根据测量结果选取谐振峰分布集中的频带作为检测频段，确定采样点数和采样频率。在选定的检测频段内对氧化前后的涂层试样分别进行电阻抗模值信号测量。最后根据电阻抗信号测量结果，计算出氧化损伤识别指数RMSD，对形成热生长氧化层进行判定。本方法具有100％无损检测的优点，成本低，效率高，操作方便，易于实用化，具有较大的经济效益和社会效益。