公开(公告)号：CN108801162B

公开(公告)日：2019-07-16

申请号：CN201810684915.7

申请日：2018-06-28

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 杜立群 ,  宋畅 ,  李晓军 ,  朱和卿 ,  赵雯

IPC: G01B11/06

Abstract: 本发明属于微制造技术领域，提供一种厚光刻胶膜厚度的非接触式光学测量方法，该方法通过在利用光学显微镜进行光刻胶厚度测量时引入胶膜的折射率，将偷眼观察到的虚像转化为实像，得到准确的胶膜厚度。其测量步骤包括“基底预处理‑胶膜制作‑胶厚测量‑曝光、显影”，解决现有技术中电解法、水晶阵子法、干涉法、光谱扫描法、X射线法和椭圆偏振法等测量方法的不足和应用的局限性，实现了几百微米厚光刻胶厚度的准确测量，具有应用范围广，简单，高效的特点，能够提高金属微结构电铸型膜制作的尺寸精度和制作效率。

公开(公告)号：CN107177866A

公开(公告)日：2017-09-19

申请号：CN201710285069.7

申请日：2017-04-28

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 杜立群 ,  李晓军 ,  李爰琪 ,  齐磊杰 ,  陶友胜 ,  赵明

IPC: C25D1/10 ,  C25D3/38 ,  C23C28/02

CPC classification number: C25D1/10 ,  C23C28/023 ,  C25D3/38

Abstract: 金属基底上制备微射频T形功分器的方法，属于微制造技术领域。采用UV‑LIGA工艺在铜基底上利用SU‑8负性光刻胶制作出支撑内导体的胶柱，再利用AZ50XT正性光刻胶制作出图形胶膜，通过电铸铜工艺得到金属边框、内导体和顶盖等结构。最后利用丙酮溶解AZ50XT胶膜得到T形功分器。本发明摒弃了传统的硅基底而改用金属基底，避免了在制作过程中硅基底易碎的问题，并且不需要在基底上溅射金属导电层，缩减了工艺步骤。同时，AZ50XT胶膜在去除时无需加热，不会在结构内部产生热应力，从而降低了制作失败的几率。

公开(公告)号：CN107177866B

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201710285069.7

申请日：2017-04-28

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 杜立群 ,  李晓军 ,  李爰琪 ,  齐磊杰 ,  陶友胜 ,  赵明

IPC: C25D1/10 ,  C25D3/38 ,  C23C28/02

Abstract: 金属基底上制备微射频T形功分器的方法，属于微制造技术领域。采用UV‑LIGA工艺在铜基底上利用SU‑8负性光刻胶制作出支撑内导体的胶柱，再利用AZ50XT正性光刻胶制作出图形胶膜，通过电铸铜工艺得到金属边框、内导体和顶盖等结构。最后利用丙酮溶解AZ50XT胶膜得到T形功分器。本发明摒弃了传统的硅基底而改用金属基底，避免了在制作过程中硅基底易碎的问题，并且不需要在基底上溅射金属导电层，缩减了工艺步骤。同时，AZ50XT胶膜在去除时无需加热，不会在结构内部产生热应力，从而降低了制作失败的几率。

公开(公告)号：CN108801162A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810684915.7

申请日：2018-06-28

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 杜立群 ,  宋畅 ,  李晓军 ,  朱和卿 ,  赵雯

IPC: G01B11/06

CPC classification number: G01B11/06

Abstract: 本发明属于微制造技术领域，提供一种厚光刻胶膜厚度的非接触式光学测量方法，该方法通过在利用光学显微镜进行光刻胶厚度测量时引入胶膜的折射率，将偷眼观察到的虚像转化为实像，得到准确的胶膜厚度。其测量步骤包括“基底预处理‑胶膜制作‑胶厚测量‑曝光、显影”，解决现有技术中电解法、水晶阵子法、干涉法、光谱扫描法、X射线法和椭圆偏振法等测量方法的不足和应用的局限性，实现了几百微米厚光刻胶厚度的准确测量，具有应用范围广，简单，高效的特点，能够提高金属微结构电铸型膜制作的尺寸精度和制作效率。