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公开(公告)号：CN110911548B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201911201576.3
申请日：2019-11-29
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 具有工作温度实时监控功能的高温三维霍尔传感器及其制作方法,属于半导体传感器领域。技术方案：衬底上依次生长缓冲层、外延层和势垒层，所述外延层异质结界面处的势阱中存在高密度由极化电荷诱导产生的二维电子气；所述衬底下表面设有用于感测平行于器件表面磁场的垂直型霍尔传感器，所述势垒层上表面设置有用于感测垂直于器件表面磁场的“十”字水平型霍尔传感器。有益效果是:本发明采用适应高温环境的完全宽禁带材料，可以在高温下测量空间任意方向的磁场，同时具有尺寸小、灵敏度高等特点，可以在不影响传感器正常工作的前提下进行精确磁场测量和实时工作温度监测，未来有望广泛应用于各种军事、航空航天、医学、微型和纳米型传感器中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110890457B
公开(公告)日：2021-11-23
申请号：CN201911203680.6
申请日：2019-11-29
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种集成背面垂直型和正面水平型三维磁场探测功能的高温霍尔传感器及其制作方法，属于半导体传感器领域。技术要点：包括衬底、缓冲层、异质结结构层，所述衬底上依次生长缓冲层和异质结结构层，所述异质结结构层中存在二维电子气；所述衬底下表面设有用于感测平行于器件表面磁场的垂直型霍尔传感器，所述异质结结构层上表面设有用于感测垂直于器件表面磁场的“十”字水平型霍尔传感器。有益效果：本发明采用适应高温环境的完全宽禁带材料，所述的集成背面垂直型和正面水平型三维磁场探测功能的高温霍尔传感器既可以在高温下稳定的工作，又测量空间任意方向磁场，同时在测量X，Y，Z三个方向的磁场时具有较大的灵敏度。
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公开(公告)号：CN110911548A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201911201576.3
申请日：2019-11-29
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 具有工作温度实时监控功能的高温三维霍尔传感器及其制作方法,属于半导体传感器领域。技术方案：衬底上依次生长缓冲层、外延层和势垒层，所述外延层异质结界面处的势阱中存在高密度由极化电荷诱导产生的二维电子气；所述衬底下表面设有用于感测平行于器件表面磁场的垂直型霍尔传感器，所述势垒层上表面设置有用于感测垂直于器件表面磁场的“十”字水平型霍尔传感器。有益效果是:本发明采用适应高温环境的完全宽禁带材料，可以在高温下测量空间任意方向的磁场，同时具有尺寸小、灵敏度高等特点，可以在不影响传感器正常工作的前提下进行精确磁场测量和实时工作温度监测，未来有望广泛应用于各种军事、航空航天、医学、微型和纳米型传感器中。
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公开(公告)号：CN111312892B
公开(公告)日：2022-02-22
申请号：CN201911201589.0
申请日：2019-11-29
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种具有超高三维磁场探测灵敏度的磁传感器及其制作方法,属于半导体传感器领域。技术方案：在衬底上外延生长石墨烯层，所述衬底下表面设有用于感测平行于器件表面磁场的垂直型霍尔传感器，所述石墨烯层上表面设有用于感测垂直于器件表面磁场的“十”字水平型霍尔传感器，有益效果是:本发明所述的具有超高三维磁场探测灵敏度的磁传感器及其制作方法既可以满足X、Y、Z三维磁场测量，又具有超高的磁场探测灵敏度，同时可以减小传感器的体积，还可以与集成电路工艺兼容进行大规模生产，具有良好的应用前景。本方案制作的高灵敏度霍尔传感器未来有望应用在各种微型可穿戴、军事、医学、航空航天等领域中。
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公开(公告)号：CN111312892A
公开(公告)日：2020-06-19
申请号：CN201911201589.0
申请日：2019-11-29
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种具有超高三维磁场探测灵敏度的磁传感器及其制作方法,属于半导体传感器领域。技术方案：在衬底上外延生长石墨烯层，所述衬底下表面设有用于感测平行于器件表面磁场的垂直型霍尔传感器，所述石墨烯层上表面设有用于感测垂直于器件表面磁场的“十”字水平型霍尔传感器，有益效果是:本发明所述的具有超高三维磁场探测灵敏度的磁传感器及其制作方法既可以满足X、Y、Z三维磁场测量，又具有超高的磁场探测灵敏度，同时可以减小传感器的体积，还可以与集成电路工艺兼容进行大规模生产，具有良好的应用前景。本方案制作的高灵敏度霍尔传感器未来有望应用在各种微型可穿戴、军事、医学、航空航天等领域中。
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公开(公告)号：CN110890457A
公开(公告)日：2020-03-17
申请号：CN201911203680.6
申请日：2019-11-29
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种集成背面垂直型和正面水平型三维磁场探测功能的高温霍尔传感器及其制作方法，属于半导体传感器领域。技术要点：包括衬底、缓冲层、异质结结构层，所述衬底上依次生长缓冲层和异质结结构层，所述异质结结构层中存在二维电子气；所述衬底下表面设有用于感测平行于器件表面磁场的垂直型霍尔传感器，所述异质结结构层上表面设有用于感测垂直于器件表面磁场的“十”字水平型霍尔传感器。有益效果：本发明采用适应高温环境的完全宽禁带材料，所述的集成背面垂直型和正面水平型三维磁场探测功能的高温霍尔传感器既可以在高温下稳定的工作，又测量空间任意方向磁场，同时在测量X，Y，Z三个方向的磁场时具有较大的灵敏度。
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