公开(公告)号：CN102522496B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN201110433976.4

申请日：2011-12-21

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 董维杰 ,  任程诚 ,  喻言 ,  白凤仙

IPC: H01L41/45 ,  H01L41/04 ,  H01L41/113

Abstract: 本发明一种柔性弧面聚偏氟乙烯压电传感器及制作方法，属于传感器技术领域，涉及一种柔性弧面聚偏氟乙烯压电传感器及制作方法。制作方法是用液体双组份有机硅胶制成具有弧面的柔性硅胶基底，在柔性硅胶基底的弧面上粘覆聚偏氟乙烯压电薄膜，在聚偏氟乙烯压电薄膜的上下表面覆盖保护层，作为上绝缘保护层和下绝缘保护层，制成柔性弧面聚偏氟乙烯传感器。本发明的压电薄膜传感器结构紧凑，通过采用弧面、全柔性基底结构来放大压电薄膜层的应力和应变，提高传感器的输出电压和提高传感器的灵敏度。本发明的传感器可应用于脉搏测量、微弱振动、微力检测等领域。

公开(公告)号：CN102522496A

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN201110433976.4

申请日：2011-12-21

Applicant: 大连理工大学

Inventor： 董维杰 ,  任程诚 ,  喻言 ,  白凤仙

IPC: H01L41/26 ,  H01L41/04 ,  H01L41/113

Abstract: 本发明一种柔性弧面聚偏氟乙烯压电传感器及制作方法，属于传感器技术领域，涉及一种柔性弧面聚偏氟乙烯压电传感器及制作方法。制作方法是用液体双组份有机硅胶制成具有弧面的柔性硅胶基底，在柔性硅胶基底的弧面上粘覆聚偏氟乙烯压电薄膜，在聚偏氟乙烯压电薄膜的上下表面覆盖保护层，作为上绝缘保护层和下绝缘保护层，制成柔性弧面聚偏氟乙烯传感器。本发明的压电薄膜传感器结构紧凑，通过采用弧面、全柔性基底结构来放大压电薄膜层的应力和应变，提高传感器的输出电压和提高传感器的灵敏度。本发明的传感器可应用于脉搏测量、微弱振动、微力检测等领域。