一种碳热还原氮化法制备AlN陶瓷粉体的方法

    公开(公告)号:CN110790244B

    公开(公告)日:2022-07-15

    申请号:CN201911048292.5

    申请日:2019-10-30

    Abstract: 本发明涉及一种碳热还原氮化法制备AlN陶瓷粉体的方法,属于陶瓷材料制备领域。一种碳热还原氮化法制备AlN陶瓷粉体的方法,所述方法以氧化铝粉体、碳粉和氮气为原料在气氛合成装置中进行,在制备过程中,向气氛合成装置中连续或间歇通入氮气,通过调节充气速率和排气速率控制气氛合成装置内的气体压力产生压差,使其具有慢充快排的脉冲式特征,且呈周期性循环实时动态变化,循环周期为0.1~20min。本发明在无添加剂的情况下,利用气压调控技术形成脉冲式周期性循环实时变化的气压,促进粉层内外气体交换,在增加粉层厚度的情况下仍能获得纯相AlN,保障AlN粉体品质。

    一种碳热还原氮化法制备AlN陶瓷粉体的方法

    公开(公告)号:CN110790244A

    公开(公告)日:2020-02-14

    申请号:CN201911048292.5

    申请日:2019-10-30

    Abstract: 本发明涉及一种碳热还原氮化法制备AlN陶瓷粉体的方法,属于陶瓷材料制备领域。一种碳热还原氮化法制备AlN陶瓷粉体的方法,所述方法以氧化铝粉体、碳粉和氮气为原料在气氛合成装置中进行,在制备过程中,向气氛合成装置中连续或间歇通入氮气,通过调节充气速率和排气速率控制气氛合成装置内的气体压力产生压差,使其具有慢充快排的脉冲式特征,且呈周期性循环实时动态变化,循环周期为0.1~20min。本发明在无添加剂的情况下,利用气压调控技术形成脉冲式周期性循环实时变化的气压,促进粉层内外气体交换,在增加粉层厚度的情况下仍能获得纯相AlN,保障AlN粉体品质。

Patent Agency Ranking