公开(公告)号：CN118213943A

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202410627751.X

申请日：2024-05-21

Applicant: 大连海事大学

Inventor： 周野 ,  刘凯旋 ,  牛小兵 ,  薛征宇 ,  史鹏飞

IPC: H02H3/08 ,  H02H7/20 ,  H03K17/0812

Abstract: 本发明提供一种适用于串联SiC MOSFET的短路保护电路，包括n个短路保护子电路，n个短路保护子电路分别与n个串联SiC MOSFET一一对应连接，其中n≥2；所述短路保护子电路包括传统驱动电路、门极分压电路和故障保护电路；门极分压电路检测SiC MOSFET门极电压并向故障保护电路传输门极状态信号；故障保护电路在门极状态信号控制下通过检测相连接SiC MOSFET导通压降以识别短路故障，当短路发生时，所述故障保护电路在关断自身连接SiC MOSFET的同时向相邻SiC MOSFET传输故障信号以实现整个串联模块短路保护。本发明易于与传统SiC MOSFET驱动芯片集成，且无需额外隔离电源供电，电路结构简单。

公开(公告)号：CN118213943B

公开(公告)日：2024-07-23

申请号：CN202410627751.X

申请日：2024-05-21

Applicant: 大连海事大学

Inventor： 周野 ,  刘凯旋 ,  牛小兵 ,  薛征宇 ,  史鹏飞

IPC: H02H3/08 ,  H02H7/20 ,  H03K17/0812

Abstract: 本发明提供一种适用于串联SiC MOSFET的短路保护电路，包括n个短路保护子电路，n个短路保护子电路分别与n个串联SiC MOSFET一一对应连接，其中n≥2；所述短路保护子电路包括传统驱动电路、门极分压电路和故障保护电路；门极分压电路检测SiC MOSFET门极电压并向故障保护电路传输门极状态信号；故障保护电路在门极状态信号控制下通过检测相连接SiC MOSFET导通压降以识别短路故障，当短路发生时，所述故障保护电路在关断自身连接SiC MOSFET的同时向相邻SiC MOSFET传输故障信号以实现整个串联模块短路保护。本发明易于与传统SiC MOSFET驱动芯片集成，且无需额外隔离电源供电，电路结构简单。

公开(公告)号：CN117200553A

公开(公告)日：2023-12-08

申请号：CN202310978799.0

申请日：2023-08-04

Applicant: 大连海事大学

Inventor： 周野 ,  牛小兵 ,  薛征宇 ,  史鹏飞

IPC: H02M1/088 ,  H02M1/34

Abstract: 本发明涉及一种串联SiC MOSFET均压控制电路，包括：应用于n个依次串联连接SiC MOSFET的n个均压控制模块；均压控制模块包括用于降低串联SiC MOSFET分压不均程度的同时将反映电压失衡程度的状态量进行传输的有源缓冲电路；接收有源缓冲电路传送的电压失衡状态，通过调节驱动电压在数个开关周期内实现电压均衡控制的驱动补偿电路。有源缓冲电路仅累积所并联SiC MOSFET实时承压VDS高于理论承压Vref时产生的能量，串联模块中未过压SiC MOSFET开关速度无影响，其缓冲电路不产生的额外功耗。缓冲电容CS中累积的过压能量通过积分电路反馈给驱动补偿电路，反馈过程通过模拟量直接作用，无需高速高精度采样电路与隔离器件，结构简单，抗干扰能力强。