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公开(公告)号：CN109913835B
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN201910276717.1
申请日：2019-04-08
Applicant: 大连交通大学
Abstract: 本发明涉及一种具有载流子迁移率可控的金红石相二氧化钛薄膜材料的制备方法，属于表面加工、涂层技术领域。本发明所述制备方法为：利用磁控溅射方法得到非晶或锐钛矿相二氧化钛薄膜材料，在大气条件下经800‑1100℃退火后，得到具有载流子迁移率可控的金红石相二氧化钛薄膜材料。本发明制备方法简单、成本低、产率高、便于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN110010768A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201910305545.6
申请日：2019-04-16
Applicant: 大连交通大学
Abstract: 本发明涉及一种(004)晶面择优的二氧化钛在钙钛矿太阳能电池中的应用和钙钛矿太阳能电池的制备方法，属于钙钛矿太阳能电池领域。本发明通过控制磁控溅射过程中钛靶表面磁控溅射的功率密度，得到具有不同晶体结构和择优取向的二氧化钛电子传输层，实现了二氧化钛电子传输层晶体结构和择优取向的可调控。
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公开(公告)号：CN109913835A
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：CN201910276717.1
申请日：2019-04-08
Applicant: 大连交通大学
Abstract: 本发明涉及一种具有载流子迁移率可控的金红石相二氧化钛薄膜材料的制备方法，属于表面加工、涂层技术领域。本发明所述制备方法为：利用磁控溅射方法得到非晶或锐钛矿相二氧化钛薄膜材料，在大气条件下经800-1100℃退火后，得到具有载流子迁移率可控的金红石相二氧化钛薄膜材料。本发明制备方法简单、成本低、产率高、便于大规模工业化生产。
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