公开(公告)号：CN105536832A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201510918916.X

申请日：2015-12-10

Applicant: 大连交通大学

Inventor： 于波 ,  丁万昱 ,  刘世民 ,  柴卫平 ,  文斌

IPC: B01J27/195 ,  C07D493/04

CPC classification number: B01J27/195 ,  C07D493/04

Abstract: 本发明公开了一种介孔磷酸铌催化剂的制备方法及其在山梨醇制异山梨醇中的应用。采用软模板表面活性剂辅助水热法合成的介孔磷酸铌催化剂，并利用该催化剂可在较低的温度下进行山梨醇脱水反应，山梨醇的转化率可达100％，异山梨醇的选择性在50％以上。该催化剂具有稳定性好、易合成、可再生、酸量可控等优点。

公开(公告)号：CN116525781A

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN202310321505.7

申请日：2023-03-29

Applicant: 大连交通大学

Inventor： 张吉亮 ,  张晓杨 ,  董闯 ,  丁万昱 ,  徐章杰

IPC: H01M4/36 ,  H01M4/485 ,  H01M10/0525 ,  H01M4/58

Abstract: 本发明公开了一种高比容量的含Fe钛酸锂基负极电极材料及其制备方法，属于锂离子电池制备领域。该复合材料的微结构特征是纳米铁基硫化物颗粒弥散分布在钛酸锂颗粒表面或钛酸锂颗粒之间，复合材料的化学组成为，以质量比，铁基硫化物占比为10～75％。本发明首先需硫源对氧化铁或四氧化三铁进行硫化还原，得到粒径不超过100纳米的铁基硫化物粉体，通过干磨或湿法机械混合获得不同的粉体复合材料。本发明操作简单，制备效率高，易于实现规模化制备；通过调控铁基硫化物的种类、以及与钛酸锂的含量配比，可获得具有不同电化学特性的高比容量复合电极材料，制备出不同功能特性的钛酸锂电池，进一步扩展钛酸锂电池的应用场景。

公开(公告)号：CN109881153B

公开(公告)日：2020-12-04

申请号：CN201910314709.1

申请日：2019-04-18

Applicant: 大连交通大学

Inventor： 丁万昱 ,  刘浩 ,  陈卫超

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明涉及一种具有(400)晶面择优的铟锡氧化物在透明薄膜热电偶上的应用，属于薄膜热电偶技术领域。利用直流脉冲磁控溅射的方法将具有(400)晶面择优的体心立方铁锰矿相多晶铟锡氧化物制成透明薄膜热电偶的一极，所述直流脉冲磁控溅射的占空比为10‑40％。本发明通过控制直流脉冲磁控溅射所得铟锡氧化物薄膜的择优取向，使铟锡氧化物透明薄膜热电偶具有较高的塞贝克系数。

公开(公告)号：CN111174931A

公开(公告)日：2020-05-19

申请号：CN202010103343.6

申请日：2020-02-19

Applicant: 大连交通大学

Inventor： 丁万昱 ,  刘智慧 ,  刘远兵

IPC: G01K7/02

Abstract: 本发明涉及一种测量温度沿基片表面法向方向梯度的方法，属于表面加工、涂层、薄膜材料技术领域。本发明在基片表面制备多层薄膜热电偶，利用多层薄膜热电偶同时进行温度测试，得到从基片表面沿法向方向不同位置的温度，进而获得温度沿基片表面法向方向的梯度。本发明所述温度梯度的测试方法与现有温度梯度的测试方法相比较，具有高的空间分辨率。

公开(公告)号：CN106282924B

公开(公告)日：2018-12-11

申请号：CN201610854436.6

申请日：2016-09-27

Applicant: 大连交通大学

Inventor： 丁万昱 ,  吕智轩 ,  刘金东 ,  王登尧

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种具有(400)晶面择优的铟锡氧化物薄膜材料的制备方法，属于表面加工、涂层领域。所述制备方法为：利用磁控溅射的方法得到具有(400)晶面择优的体心立方铁锰矿相多晶铟锡氧化物薄膜材料，所述磁控溅射的功率密度为4.8‑8.0W/cm2。本发明通过控制磁控溅射过程中铟锡氧化物靶表面磁控溅射的功率密度，得到具有不同择优取向的铟锡氧化物薄膜材料，实现铟锡氧化物薄膜材料择优取向的可调控。

公开(公告)号：CN109913835B

公开(公告)日：2023-09-15

申请号：CN201910276717.1

申请日：2019-04-08

Applicant: 大连交通大学

Inventor： 丁万昱 ,  张一 ,  何艳菲 ,  张鑫

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明涉及一种具有载流子迁移率可控的金红石相二氧化钛薄膜材料的制备方法，属于表面加工、涂层技术领域。本发明所述制备方法为：利用磁控溅射方法得到非晶或锐钛矿相二氧化钛薄膜材料，在大气条件下经800‑1100℃退火后，得到具有载流子迁移率可控的金红石相二氧化钛薄膜材料。本发明制备方法简单、成本低、产率高、便于大规模工业化生产。

公开(公告)号：CN110010768A

公开(公告)日：2019-07-12

申请号：CN201910305545.6

申请日：2019-04-16

Applicant: 大连交通大学

Inventor： 丁万昱 ,  张鑫 ,  何艳菲

IPC: H01L51/42 ,  H01L51/48 ,  C23C14/08 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  C23C14/24 ,  C23C14/14

Abstract: 本发明涉及一种(004)晶面择优的二氧化钛在钙钛矿太阳能电池中的应用和钙钛矿太阳能电池的制备方法，属于钙钛矿太阳能电池领域。本发明通过控制磁控溅射过程中钛靶表面磁控溅射的功率密度，得到具有不同晶体结构和择优取向的二氧化钛电子传输层，实现了二氧化钛电子传输层晶体结构和择优取向的可调控。

公开(公告)号：CN109913835A

公开(公告)日：2019-06-21

申请号：CN201910276717.1

申请日：2019-04-08

Applicant: 大连交通大学

Inventor： 丁万昱 ,  张一 ,  何艳菲 ,  张鑫

IPC: C23C14/35 ,  C23C14/08 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明涉及一种具有载流子迁移率可控的金红石相二氧化钛薄膜材料的制备方法，属于表面加工、涂层技术领域。本发明所述制备方法为：利用磁控溅射方法得到非晶或锐钛矿相二氧化钛薄膜材料，在大气条件下经800-1100℃退火后，得到具有载流子迁移率可控的金红石相二氧化钛薄膜材料。本发明制备方法简单、成本低、产率高、便于大规模工业化生产。

公开(公告)号：CN109881153A

公开(公告)日：2019-06-14

申请号：CN201910314709.1

申请日：2019-04-18

Applicant: 大连交通大学

Inventor： 丁万昱 ,  刘浩 ,  陈卫超

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/35

Abstract: 本发明涉及一种具有(400)晶面择优的铟锡氧化物在透明薄膜热电偶上的应用，属于薄膜热电偶技术领域。利用直流脉冲磁控溅射的方法将具有(400)晶面择优的体心立方铁锰矿相多晶铟锡氧化物制成透明薄膜热电偶的一极，所述直流脉冲磁控溅射的占空比为10-40％。本发明通过控制直流脉冲磁控溅射所得铟锡氧化物薄膜的择优取向，使铟锡氧化物透明薄膜热电偶具有较高的塞贝克系数。

公开(公告)号：CN105671486B

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201610180065.8

申请日：2016-03-25

Applicant: 大连交通大学

Inventor： 丁万昱 ,  刘金东

IPC: C23C14/08 ,  C23C14/48 ,  C23C14/58

Abstract: 本发明涉及一种氮掺杂二氧化钛薄膜材料的制备方法，属于表面加工、涂层领域，所述制备方法为利用氮离子束将氮元素掺杂注入二氧化钛薄膜表面，得到氮掺杂二氧化钛薄膜材料；所述二氧化钛薄膜的晶体结构为非晶、多晶或非晶与多晶的混合，本发明有益效果为：通过调节二氧化钛薄膜材料的结晶程度、掺杂注入时间等参数，制备出具有不同氮元素掺杂量和掺杂状态的氮掺杂二氧化钛薄膜材料，实现氮元素掺杂量和掺杂状态的可调控。