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公开(公告)号:CN101352108B
公开(公告)日:2011-12-07
申请号:CN200680049571.8
申请日:2006-12-22
Applicant: 夏普株式会社 , 积水化学工业株式会社
IPC: H05H1/24 , B65G49/06 , C23C16/458 , H01L21/3065 , H01L21/316 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/68742 , B65G49/064 , B65G49/065 , B65G2249/02 , B65G2249/04 , B65G2249/045 , H01J37/32431 , H01J2237/20 , H01L21/68778
Abstract: 本发明涉及台装置和等离子体处理装置。提供在台的载置面上载置有被处理基板的状态下,在升降销的上端和载置面之间不产生高低平面差的台装置,此外,还提供利用该台装置作为电极台,能够抑制处理不均的发生的等离子体处理装置。在电极台(2)的中央部,配置有沿销移动方向具有弹性的弹簧式升降销(20)。弹簧式升降销(20)在收容位置上,销上端(20a)从电极台(2)的载置面(11)向上方突出,通过在载置面(11)上载置并吸附被处理基板(4),由于从被处理基板(4)受到的负荷而被压下至与载置面(11)相同的高度。
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公开(公告)号:CN101352108A
公开(公告)日:2009-01-21
申请号:CN200680049571.8
申请日:2006-12-22
Applicant: 夏普株式会社 , 积水化学工业株式会社
IPC: H05H1/24 , B65G49/06 , C23C16/458 , H01L21/3065 , H01L21/316 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/68742 , B65G49/064 , B65G49/065 , B65G2249/02 , B65G2249/04 , B65G2249/045 , H01J37/32431 , H01J2237/20 , H01L21/68778
Abstract: 本发明涉及台装置和等离子体处理装置。提供在台的载置面上载置有被处理基板的状态下,在升降销的上端和载置面之间不产生高低平面差的台装置,此外,还提供利用该台装置作为电极台,能够抑制处理不均的发生的等离子体处理装置。在电极台(2)的中央部,配置有沿销移动方向具有弹性的弹簧式升降销(20)。弹簧式升降销(20)在收容位置上,销上端(20a)从电极台(2)的载置面(11)向上方突出,通过在载置面(11)上载置并吸附被处理基板(4),由于从被处理基板(4)受到的负荷而被压下至与载置面(11)相同的高度。
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公开(公告)号:CN1543293A
公开(公告)日:2004-11-03
申请号:CN200410038785.8
申请日:2004-03-26
Applicant: JSR株式会社 , 夏普株式会社 , 株式会社国际基盘材料研究所
CPC classification number: H01L21/288 , C23C18/02 , C23C18/06 , C23C18/08 , C23C18/14 , Y10T428/24917
Abstract: 提供了一种通过用包含(A)胺类化合物与氢化铝化合物的配合物,以及(B)钛化合物的组合物或包含(A)胺类化合物与氢化铝化合物的配合物,以及(C)金属颗粒的组合物涂覆基材并且随后使得到的涂覆薄膜受热和/或光处理,形成接线或电极的方法。通过这种方法,可以形成使用导电薄膜成形组合物的薄膜,采用该薄膜可以容易和便宜地形成接线和电极,该接线和电极可合适地用于电子器件。
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