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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104040737B
公开(公告)日：2017-09-08
申请号：CN201280059896.X
申请日：2012-12-05
Applicant: 夏普株式会社 , 国立大学法人山口大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0025 , H01L33/0075 , H01L33/08 , H01L33/24 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，其由n型氮化物半导体层(13)、触发层(14)、V形坑扩大层(15)、发光层(16)、p型氮化物半导体层(17)按照此顺序依次设置而构成。发光层(16)中形成有V形坑(31)。触发层(14)由晶格常数不同于构成n型氮化物半导体层(13)上表面的材料的氮化物半导体材料构成。V形坑扩大层(15)由晶格常数与构成n型氮化物半导体层(13)上表面的材料实质上相同的氮化物半导体材料构成，其厚度在5nm以上、5000nm以下。
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公开(公告)号：CN104040737A
公开(公告)日：2014-09-10
申请号：CN201280059896.X
申请日：2012-12-05
Applicant: 夏普株式会社 , 国立大学法人山口大学
CPC classification number: H01L33/06 , H01L33/0025 , H01L33/0075 , H01L33/08 , H01L33/24 , H01L33/32
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体发光元件，其由n型氮化物半导体层(13)、触发层(14)、V形坑扩大层(15)、发光层(16)、p型氮化物半导体层(17)按照此顺序依次设置而构成。发光层(16)中形成有V形坑(31)。触发层(14)由晶格常数不同于构成n型氮化物半导体层(13)上表面的材料的氮化物半导体材料构成。V形坑扩大层(15)由晶格常数与构成n型氮化物半导体层(13)上表面的材料实质上相同的氮化物半导体材料构成，其厚度在5nm以上、5000nm以下。
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公开(公告)号：CN102362018B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201080013017.0
申请日：2010-02-09
Applicant: 国立大学法人山口大学
IPC: C30B33/12 , C23C14/14 , C23C14/18 , C23C14/58 , C23C16/02 , C23C16/34 , H01L33/32 , H01L21/3065
CPC classification number: C30B29/403 , C30B25/18 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L33/007
Abstract: 对使化合物半导体层生长在蓝宝石衬底上而制作的半导体装置，提供了一种能够制作光提取效率较高的半导体装置的蓝宝石衬底。在蓝宝石衬底(1)的面上通过随机布置形成多个凸起(2、2、…)，让GaN层(10)在该面上生长。再在其上形成多量子阱层(12)、p-AlGaN层(14)、p-GaN层(16)以及ITO层(18)，还形成两个电极(21、22)，制作出了半导体发光元件。
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公开(公告)号：CN103348044A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201280008017.0
申请日：2012-03-02
Applicant: 株式会社德山 , 国立大学法人山口大学
CPC classification number: H01L29/2003 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02639 , H01L21/0265 , H01S2304/12 , Y10T428/2457
Abstract: 本发明提供以穿透位错密度低的具有高结晶性的GaN晶体的a面：＜11-20＞面、m面：＜1-100＞面为主面的基板或以＜11-22＞面为主面的基板等在蓝宝石基底基板上层叠有多种面取向的面的GaN晶体层叠基板及其制造方法。所述氮化镓晶体层叠基板包含蓝宝石基底基板、及通过在该基板上结晶生长而形成的氮化镓晶体层，该氮化镓晶体层从形成在蓝宝石基底基板主面的多个槽部的例如由c面构成的侧壁进行横向结晶生长，从而该氮化镓晶体层的表面平行于该主面地形成，该表面包含a面、m面等非极化面、＜11-22＞面等半极化面，且该氮化镓晶体的暗点密度小于2×108个/cm2、优选为1.85×108个/cm2以下、特别优选为1.4×108个/cm2以下。
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公开(公告)号：CN102362018A
公开(公告)日：2012-02-22
申请号：CN201080013017.0
申请日：2010-02-09
Applicant: 国立大学法人山口大学
IPC: C30B33/12 , C23C14/14 , C23C14/18 , C23C14/58 , C23C16/02 , C23C16/34 , H01L33/32 , H01L21/3065
CPC classification number: C30B29/403 , C30B25/18 , C30B29/406 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/0254 , H01L21/02658 , H01L33/007
Abstract: 对使化合物半导体层生长在蓝宝石衬底上而制作的半导体装置，提供了一种能够制作光提取效率较高的半导体装置的蓝宝石衬底。在蓝宝石衬底(1)的面上通过随机布置形成多个凸起(2、2、…)，让GaN层(10)在该面上生长。再在其上形成多量子阱层(12)、p-AlGaN层(14)、p-GaN层(16)以及ITO层(18)，还形成两个电极(21、22)，制作出了半导体发光元件。
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