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公开(公告)号：CN110622275A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201880032479.3
申请日：2018-05-15
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 电子发射元件(100)具有：第1电极(12)、第2电极(52)、以及设置在第1电极(12)与第2电极(52)之间的半导电层(30)。半导电层(30)具有：多孔氧化铝层(32)，其具有多个细孔(34)；以及银(42)，其担载在多孔氧化铝层(32)的多个细孔(34)内。
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公开(公告)号：CN110323113A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910249304.4
申请日：2019-03-29
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 提供能提高现有的电子发射元件的特性(例如低耗电化)和/或长寿命化的具有新结构的电子发射元件及其制造方法。电子发射元件的制造方法包括：工序A，准备铝基板或支撑于基板的铝层；工序B，对铝基板的表面或铝层的表面进行阳极氧化，由此形成具有多个细孔的多孔氧化铝层；工序C，向多个细孔内赋予银纳米粒子，由此使银纳米粒子担载于多个细孔内；工序D，在工序C之后，对铝基板或铝层的表面的实质上整个面赋予绝缘层形成溶液，该绝缘层形成溶液含有7质量％以上且不到20质量％的包含硅氧烷键的聚合物；工序E，在工序D之后，至少使绝缘层形成溶液中包含的溶剂减少，由此形成绝缘层；以及工序F，在绝缘层上形成电极。
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公开(公告)号：CN110622275B
公开(公告)日：2022-04-26
申请号：CN201880032479.3
申请日：2018-05-15
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 电子发射元件(100)具有：第1电极(12)、第2电极(52)、以及设置在第1电极(12)与第2电极(52)之间的半导电层(30)。半导电层(30)具有：多孔氧化铝层(32)，其具有多个细孔(34)；以及银(42)，其担载在多孔氧化铝层(32)的多个细孔(34)内。
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公开(公告)号：CN110323113B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201910249304.4
申请日：2019-03-29
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 提供能提高现有的电子发射元件的特性(例如低耗电化)和/或长寿命化的具有新结构的电子发射元件及其制造方法。电子发射元件的制造方法包括：工序A，准备铝基板或支撑于基板的铝层；工序B，对铝基板的表面或铝层的表面进行阳极氧化，由此形成具有多个细孔的多孔氧化铝层；工序C，向多个细孔内赋予银纳米粒子，由此使银纳米粒子担载于多个细孔内；工序D，在工序C之后，对铝基板或铝层的表面的实质上整个面赋予绝缘层形成溶液，该绝缘层形成溶液含有7质量％以上且不到20质量％的包含硅氧烷键的聚合物；工序E，在工序D之后，至少使绝缘层形成溶液中包含的溶剂减少，由此形成绝缘层；以及工序F，在绝缘层上形成电极。
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