离子生成装置以及离子迁移率分析装置

    公开(公告)号:CN114624327A

    公开(公告)日:2022-06-14

    申请号:CN202111439750.5

    申请日:2021-11-30

    Abstract: 提供一种能够使用电子发射元件生成正离子的离子生成装置。本发明的离子生成装置具备:电子发射元件、对置电极以及控制部,所述电子发射元件包括:下部电极;表面电极;以及配置于所述下部电极与所述表面电极之间的中间层,所述对置电极以与所述表面电极相对的方式配置,所述控制部设置成:对所述表面电极、所述下部电极或者所述对置电极施加电压,使得在生成正离子的正离子模式下,所述表面电极的电位高于所述下部电极的电位以及所述对置电极的电位。

    分析装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN110320263A

    公开(公告)日:2019-10-11

    申请号:CN201910248325.4

    申请日:2019-03-29

    Abstract: 本发明提供可容易地将试样离子化的分析装置。本发明的分析装置(100)具备离子化部(20)、离子分离部(30)和离子检测部(40)。离子化部(20)生成来自试样成分的离子。离子分离部(30)根据离子的迁移率分离离子。离子检测部(40)检测通过离子分离部(30)的离子。离子化部(20)包含反应室(21)和电子释放元件(22)。向反应室(21)中导入试样。电子释放元件(22)向反应室(21)释放电子。

    电子发射元件及其制造方法以及电子元件的制造方法

    公开(公告)号:CN109494139A

    公开(公告)日:2019-03-19

    申请号:CN201811050597.5

    申请日:2018-09-07

    Abstract: 本发明提供一种能使现有的电子发射元件实现特性提升及/或寿命增长且具有新颖构造的电子发射元件及其制造方法。电子发射元件的制造方法包含:步骤A,准备铝基板(12)或由基板支承的铝层;步骤B,通过使铝基板的表面(12s)或铝层的表面阳极氧化,而形成具有多个细孔(34)的多孔氧化铝层(32);步骤C,通过向多个细孔内赋予银纳米粒子(42n),而使多个细孔内承载银纳米粒子;步骤D,在步骤C之后,对铝基板或铝层的实质整个表面,赋予绝缘层形成溶液(36);步骤E,在步骤D之后,通过至少减少绝缘层形成溶液中所含的溶剂而形成绝缘层(37);及步骤F,在绝缘层上形成电极(52)。

    具有清洁功能的电子发射装置

    公开(公告)号:CN1735840A

    公开(公告)日:2006-02-15

    申请号:CN200480002083.2

    申请日:2004-01-14

    CPC classification number: G03G15/02

    Abstract: 一种电子发射装置,包括:电子发射部件(1),它包括下电极(2)、由薄膜构成的上电极(5)、上电极(5)的表面暴露在外部空间和在下电极和上电极之间形成的半导体层(4)、设置成与上电极(5)在外部空间另一侧的对向电极(21)、微粒充电电压控制单元(22),用于在上电极(5)和下电极(2)之间施加一个对沉积在上电极(5)的表面上的微粒充电的电压、飞行电压控制单元(23),用于在上电极(5)和对向电极(21)之间施加一个用于发送从上电极(5)飞来的带电微粒的电压,其中微粒充电电压控制单元和于对沉积的微粒充电,而飞行电压控制单元用于发送飞向对向电极(21)的带电微粒。

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