公开(公告)号：CN1252815C

公开(公告)日：2006-04-19

申请号：CN03142360.4

申请日：2003-06-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 东贤一 ,  阿尔贝托·O·阿丹

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L27/0262 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7436 ,  H01L29/87 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种要用于具有MOSFET的半导体集成电路的静电放电保护元件，包括闸流晶体管和用于将闸流晶体管触发到导通状态的触发二极管，将闸流晶体管和触发二极管形成在单一的半导体衬底中，其中，触发二极管设有n型阴极高浓度掺杂区、p型阳极高浓度掺杂区、以及在两个高浓度掺杂区之间形成的栅极，由与形成半导体集成电路的MOSFET的栅极的材料相同的材料构成所述栅极，而且闸流晶体管具有形成阴极的p型高浓度掺杂区和形成阳极的n型高浓度掺杂区，以及在p型阱中设有p型高浓度掺杂区，并通过电阻与导线相连，和/或在n型阱中设有n型高浓度掺杂区，并通过电阻与导线相连，触发二极管的n型阴极高浓度掺杂区和闸流晶体管的n型高浓度掺杂区通过n型阱彼此相连；触发二极管的p型阳极高浓度掺杂区和闸流晶体管的p型高浓度掺杂区通过p型阱彼此相连。

公开(公告)号：CN1471166A

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：CN03142360.4

申请日：2003-06-10

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 东贤一 ,  阿尔贝托·O·阿丹

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/861

CPC classification number: H01L27/0262 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/7436 ,  H01L29/87 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种要用于具有MOSFET的半导体集成电路的静电放电保护元件，包括闸流晶体管和用于将闸流晶体管触发到导通状态的触发二极管，其中，触发二极管设有n型阴极高浓度掺杂区、p型阳极高浓度掺杂区、以及在两个高浓度掺杂区之间形成的栅极，由与形成半导体集成电路的MOSFET的栅极的材料相同的材料构成所述栅极，而且闸流晶体管具有形成阴极的p型高浓度掺杂区和形成阳极的n型高浓度掺杂区，以及在p型阱中设有p型高浓度掺杂区，并与电阻相连，和/或在n型阱中设有n型高浓度掺杂区，并与电阻相连。