公开(公告)号：CN110879464A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910833903.0

申请日：2019-09-04

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 立野智广 ,  辻埜和也 ,  蜂谷笃史

IPC: G02B26/00

Abstract: 电润湿装置具有：第一基板；多个第一电极，其在第一基板上形成；电介质层，其在多个第一电极上形成；第一疏水层，其在电介质层上形成；第二基板；第二电极，其在第二基板上形成；以及第二疏水层，其在第二电极上形成，第一基板和第二基板在第一疏水层和第二疏水层之间设置间隙而配置，第一电极具有氧化铟·氧化锌层，电介质层具有氮化硅层，氮化硅层在氧化铟·氧化锌层上直接形成。

公开(公告)号：CN110223985B

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN201910156705.5

申请日：2019-03-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤裕一 ,  古川博章 ,  青木智久 ,  蜂谷笃史

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 提供一种有源矩阵基板，其具备具有能降低沟道长度的氧化物半导体TFT的多路分配电路。有源矩阵基板具备包含多个TFT的多路分配电路，各TFT具有：栅极电极；氧化物半导体层，其包含源极接触区域、漏极接触区域以及包含沟道区域的源极漏极间区域；沟道保护层，其仅覆盖源极漏极间区域的一部分；以及源极电极和漏极电极，该源极电极与源极接触区域接触，该漏极电极与漏极接触区域接触，在各TFT的沟道长度方向的一截面中，源极电极和漏极电极中的任意一方电极的沟道区域侧的端部与沟道保护层接触，另一方电极的沟道区域侧的端部与沟道保护层空开间隔配置。

公开(公告)号：CN115917636A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202080101372.7

申请日：2020-05-25

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 青木智久 ,  蜂谷笃史 ,  齐藤裕一 ,  古川博章

IPC: G09G3/3208 ,  G09G3/3225 ,  G09G3/3233 ,  G09F9/30

Abstract: 一种具备像素电路(PC)的显示装置(10)，在像素电路中形成有包括结晶性硅半导体膜(SC)的第一结构的驱动晶体管(T4)和电容元件(Cp)，电容元件包括与驱动晶体管的第一栅极(15a)电连接的第一电容电极(17a)、与第一电容电极相对的第二电容电极(19a)、以及配置在第一电容电极与第二电容电极之间的介电膜(18a)，介电膜(18a)形成在与第一层间绝缘膜(16)和第二层间绝缘膜(20)不同的层。

公开(公告)号：CN110223985A

公开(公告)日：2019-09-10

申请号：CN201910156705.5

申请日：2019-03-01

Applicant: 夏普株式会社

Inventor： 齐藤裕一 ,  古川博章 ,  青木智久 ,  蜂谷笃史

IPC: H01L27/12 ,  H01L21/84 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

Abstract: 提供一种有源矩阵基板，其具备具有能降低沟道长度的氧化物半导体TFT的多路分配电路。有源矩阵基板具备包含多个TFT的多路分配电路，各TFT具有：栅极电极；氧化物半导体层，其包含源极接触区域、漏极接触区域以及包含沟道区域的源极漏极间区域；沟道保护层，其仅覆盖源极漏极间区域的一部分；以及源极电极和漏极电极，该源极电极与源极接触区域接触，该漏极电极与漏极接触区域接触，在各TFT的沟道长度方向的一截面中，源极电极和漏极电极中的任意一方电极的沟道区域侧的端部与沟道保护层接触，另一方电极的沟道区域侧的端部与沟道保护层空开间隔配置。