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公开(公告)号：CN110320263A
公开(公告)日：2019-10-11
申请号：CN201910248325.4
申请日：2019-03-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G01N27/62
Abstract: 本发明提供可容易地将试样离子化的分析装置。本发明的分析装置(100)具备离子化部(20)、离子分离部(30)和离子检测部(40)。离子化部(20)生成来自试样成分的离子。离子分离部(30)根据离子的迁移率分离离子。离子检测部(40)检测通过离子分离部(30)的离子。离子化部(20)包含反应室(21)和电子释放元件(22)。向反应室(21)中导入试样。电子释放元件(22)向反应室(21)释放电子。
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公开(公告)号：CN110320263B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN201910248325.4
申请日：2019-03-29
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G01N27/622
Abstract: 本发明提供可容易地将试样离子化的分析装置。本发明的分析装置(100)具备离子化部(20)、离子分离部(30)和离子检测部(40)。离子化部(20)生成来自试样成分的离子。离子分离部(30)根据离子的迁移率分离离子。离子检测部(40)检测通过离子分离部(30)的离子。离子化部(20)包含反应室(21)和电子释放元件(22)。向反应室(21)中导入试样。电子释放元件(22)向反应室(21)释放电子。
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公开(公告)号：CN112098499B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202010549864.4
申请日：2020-06-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G01N27/622
Abstract: 本发明的分析装置包括：电子发射元件、检测部、电场形成部、静电栅电极和控制部，所述电子发射元件设置为具有下部电极、表面电极以及中间层，且在电子发射元件和静电栅电极之间的离子化区域内由发射的电子直接或间接地生成阴离子，静电栅电极被设置为控制阴离子向静电栅电极和检测部之间的漂移区域的注入，检测部被设置为检测通过上述电位梯度在漂移区域可移动的阴离子，控制部被设置为在下部电极和表面电极之间施加脉冲电压，且设置为在脉冲电压为导通的时间内向静电栅电极施加电压，以使静电栅电极将阴离子注入漂移区域。
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公开(公告)号：CN112098499A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010549864.4
申请日：2020-06-16
Applicant: 夏普株式会社
IPC: G01N27/62
Abstract: 本发明的分析装置包括：电子发射元件、检测部、电场形成部、静电栅电极和控制部，所述电子发射元件设置为具有下部电极、表面电极以及中间层，且在电子发射元件和静电栅电极之间的离子化区域内由发射的电子直接或间接地生成阴离子，静电栅电极被设置为控制阴离子向静电栅电极和检测部之间的漂移区域的注入，检测部被设置为检测通过上述电位梯度在漂移区域可移动的阴离子，控制部被设置为在下部电极和表面电极之间施加脉冲电压，且设置为在脉冲电压为导通的时间内向静电栅电极施加电压，以使静电栅电极将阴离子注入漂移区域。
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