公开(公告)号：CN102774828A

公开(公告)日：2012-11-14

申请号：CN201210242041.2

申请日：2012-07-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 彭慧胜 ,  黄三庆 ,  林惠娟 ,  张玲莉 ,  蔡振波

IPC: C01B31/04 ,  B82Y40/00

Abstract: 本发明属于石墨烯纳米带制备技术领域，具体为一种尺寸可控的石墨烯纳米带的制备方法。本发明采用切片法制备厚度可控的垂直取向碳纳米管/石蜡复合膜，成功去除石蜡后，分离出长度一致的碳纳米管，将这些碳纳米管沿管径方向打开，制备长度可控的石墨烯纳米带，并通过控制碳纳米管的直径实现对石墨烯纳米带宽度的控制。该制备方法简单，适合于在工业上大规模制备。

公开(公告)号：CN102737853A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210223219.9

申请日：2012-07-02

Applicant: 复旦大学

Inventor： 彭慧胜 ,  仰志斌 ,  黄三庆 ,  张玲莉 ,  蔡振波

IPC: H01G9/042 ,  H01G9/20

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本发明属于太阳能电池技术领域，具体为一种高性能取向碳纳米管薄膜电极的制备方法。本发明方法包括：采用胶带法制备取向碳纳米管薄层阵列，采用加压法制备高性能取向碳纳米管薄膜电极。该方法操作简单，可控性好，制备的碳纳米管薄膜电极表面平整且均一。将该取向碳纳米管薄膜电极用于太阳能电池的对电极，所组装的太阳能电池具有优异的性能，其效率可以超过相同条件下采用传统铂作为对电极的效率。

公开(公告)号：CN102391618A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：CN201110229604.X

申请日：2011-08-11

Applicant: 复旦大学

Inventor： 彭慧胜 ,  黄三庆 ,  仰志斌 ,  李立 ,  张玲莉

IPC: C08L63/00 ,  C08K7/00 ,  C08K3/04 ,  C08G59/42 ,  B26D3/28 ,  C01B31/02 ,  H01L51/46

CPC classification number: Y02E10/549

Abstract: 本发明属于碳纳米管薄膜制备技术领域，具体为一种取向碳纳米管/聚合物复合膜的制备方法。本发明采用切片法，制备得取向良好的碳纳米管/聚合物复合膜，该薄膜中碳纳米管平行于薄膜表面，均匀分布，使薄膜表面具有极佳的导电性能。同时，该复合膜的厚度和密度均可控：采用切片机对薄膜厚度在较宽范围内进行精确控制；复合膜中碳纳米管的密度可通过改变碳纳米管阵列的合成条件或压缩碳纳米阵列的体积来实现。所制备的复合膜具有较高的透光率、优异的柔韧性和变形能力。本发明操作简单、可控性好，所制备的复合膜可作为优良的透明、柔性电极取代传统导电玻璃用于多个领域。