公开(公告)号：CN112382558B

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202011142806.6

申请日：2020-10-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 钟振扬 ,  陈培宗 ,  张宁宁 ,  张立建 ,  樊永良 ,  蒋最敏

IPC: H01L21/18 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明属于半导体量子结构技术领域，具体为一种基于微纳米金属/半导体肖特基结的可控量子结构制备方法。本发明方法，是在含有量子阱的半导体表面，制备金属微纳米结构，形成微纳米尺度的金属/半导体肖特基结，该微纳米肖特基结附近存在一个局域静电场，可以在量子阱层中对载流子产生一个横向限制，从而在半导体量子阱中得到新型可控的量子结构；所述量子结构包括量子点、量子线、量子环及其混合结构和阵列；本发明方法简单易行，在不损坏半导体晶体质量和不引入额外杂质的前提下,制备得到可控的半导体量子结构，甚至可用于制备复杂高质量的半导体量子结构体系，为新型半导体量子器件的制备提供了新途径。

公开(公告)号：CN112382558A

公开(公告)日：2021-02-19

申请号：CN202011142806.6

申请日：2020-10-22

Applicant: 复旦大学

Inventor： 钟振扬 ,  陈培宗 ,  张宁宁 ,  张立建 ,  樊永良 ,  蒋最敏

IPC: H01L21/18 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明属于半导体量子结构技术领域，具体为一种基于微纳米金属/半导体肖特基结的可控量子结构制备方法。本发明方法，是在含有量子阱的半导体表面，制备金属微纳米结构，形成微纳米尺度的金属/半导体肖特基结，该微纳米肖特基结附近存在一个局域静电场，可以在量子阱层中对载流子产生一个横向限制，从而在半导体量子阱中得到新型可控的量子结构；所述量子结构包括量子点、量子线、量子环及其混合结构和阵列；本发明方法简单易行，在不损坏半导体晶体质量和不引入额外杂质的前提下,制备得到可控的半导体量子结构，甚至可用于制备复杂高质量的半导体量子结构体系，为新型半导体量子器件的制备提供了新途径。