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公开(公告)号：CN110455751A
公开(公告)日：2019-11-15
申请号：CN201910776964.8
申请日：2019-08-22
Applicant: 复旦大学
IPC: G01N21/59
Abstract: 本发明提供了一种基于卷曲薄膜的氢气痕迹检测方法。其卷曲薄膜为由多层金属薄膜体系卷曲形成的阵列结构；最内层的金属薄膜在氢气气氛中具有体积膨胀效应，卷曲薄膜在接触过氢气之后，其卷曲直径会产生明显的减小，由此导致其光学性质的变化。氢气脱附后卷曲薄膜产生的透射率变化，与氢气浓度具有一定的定量关系，由此可以实现对氢气的痕迹检测。该方法通过在氢气通入前后，卷曲薄膜的曲率半径的变化导致的光学透射率的变化实现对氢气的痕迹检测。本发明在检测记录过程中无电流传输，安全性更高。
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