公开(公告)号：CN106898694A

公开(公告)日：2017-06-27

申请号：CN201710120044.1

申请日：2017-03-02

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张宗芝 ,  唐明洪 ,  朱伟骅 ,  林亮 ,  赵柄丞

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

CPC classification number: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12

Abstract: 本发明属于磁存储技术领域，具体为一种可调控垂直交换耦合场大小的复合磁性多层膜结构。垂直复合薄膜结构为：玻璃衬底/Ta(5) /Cu(3) /[Co(0.28)/Ni(0.58)]5 /Cu(tCu)/TbxCo100‑x(tFI)/Ta (8)。通过对比和改变非磁性夹层金属材料的厚度，制出具有高交换耦合场的[Co/Ni]5/Cu(tCu) /TbCo复合膜结构，并且Cu厚度在0.7~2.0nm间改变时交换耦合场大小可在3 kOe~0 Oe间可调。复合结构[Co(0.28)/Ni(0.58)]5/Cu(tCu) / Tb25Co75(12)在选取Cu为0.7nm时所产生的高达3 kOe的交换耦合场值比传统的反铁磁材料（MnIr或PtMn）钉扎所提供的最大交换偏置场（~1 kOe）提升了近三倍。

公开(公告)号：CN107123433A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710215468.6

申请日：2017-04-03

Applicant: 复旦大学

Inventor： 张宗芝 ,  林亮 ,  朱振东 ,  赵柄丞 ,  朱伟骅 ,  金庆原

IPC: G11B5/706 ,  G11B5/718 ,  G11B5/851 ,  C23C14/16 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35

CPC classification number: G11B5/70605 ,  C23C14/165 ,  C23C14/185 ,  C23C14/35 ,  G11B5/718 ,  G11B5/851

Abstract: 本发明属于磁存储技术领域，具体为交换耦合复合磁记录介质及其制备方法。本发明复合磁记录介质是一种耦合复合膜，从下至上依次是：软磁层、中间层、硬磁层和保护层，衬底采用单晶MgO基片，软磁层为厚度t的FeRu层，中间层为Pt层，硬磁层为L10‑FePt，保护层为Pt层。本发明解决了传统ECC结构在信息写入时，下层与磁头距离过大所获磁场不足的问题。该结构中，硬磁层为5.0 nm厚的高有序度L10‑FePt薄膜，其矫顽力约为9.0 kOe；通过引入软磁层FeRu，当软磁层厚度为10.0 nm时复合薄膜的整体矫顽力可降至2.2kOe；当外场与膜面法线夹角从0°‑60°变化时，ECC薄膜的矫顽力角度特性曲线展现出良好的角度包容性。这些性能的提高对信息的写入十分有利。