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公开(公告)号：CN107086202A
公开(公告)日：2017-08-22
申请号：CN201610085161.4
申请日：2016-02-14
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/8239
CPC classification number: H01L21/8239
Abstract: 本发明属于半导体非易失性存储器技术领域，涉及一种可抑制三维水平交叉点式电阻转换存储器漏电流的集成结构，其包括交替向上堆叠的第一电极层和第二电极层、置于第一电极层和第二电极层之间的存储单元层、制作在硅片上的选通管以及隔离单元；其中隔离单元置于相邻奇数层或偶数层的第一电极层之间的垂直通孔中；隔离单元和普通存储单元在结构上完全相同，但功能不同：普通存储单元利存储数据；隔离单元抑制电路在操作过程中伴随产生的大量漏电流，该结构制造方法简单，成本低廉，几乎不需要增添额外的工艺步骤，能节省功耗，提高存储器的可靠性，为保留三维电阻转换存储器的高密度优势提供保障。
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