公开(公告)号：CN117382321A

公开(公告)日：2024-01-12

申请号：CN202311169355.9

申请日：2023-09-12

Applicant: 复旦大学

Inventor： 刘利伟 ,  蔡正刚 ,  薛思惟 ,  许宁生 ,  周鹏

IPC: B41M1/24 ,  C23C16/44 ,  C23C16/50 ,  C23C16/30 ,  H01L33/00 ,  B41M1/26

Abstract: 本发明实施例提供一种涉及二维原子晶体材料转移技术领域，具体涉及一种用于制备晶圆级二维材料阵列的方法，包括：按预设比例配制混合溶液；制备上表面具有多个PDMS凸起的PDMS印章，使多个PDMS凸起以预设图案样式规则排布；在生长衬底上生长连续的单层二维TMDs薄膜；使PDMS印章的PDMS凸起与单层二维TMDs薄膜粘贴；通过混合溶液使单层二维TMDs薄膜与生长衬底分离；将与PDMS凸起上表面接触部分之外的单层二维TMDs薄膜剥离，得到图案化单层二维TMDs薄膜；将图案化单层二维TMDs薄膜转移到目标衬底上。通过该方法转印晶圆尺寸的图案化单层二维材料解决了现有技术无法低成本、高效、简单的转印大尺寸的单层二维TMDs薄膜，无法满足大规模晶粒集成的问题。

公开(公告)号：CN115763219A

公开(公告)日：2023-03-07

申请号：CN202211295202.4

申请日：2022-10-21

Applicant: 中山大学 ,  复旦大学

Inventor： 邓少芝 ,  刘利伟 ,  许宁生 ,  周鹏

IPC: H01L21/02

Abstract: 本发明实施例提供一种涉及二维原子晶体材料转移技术领域，具有涉及一种制备图案化单层二维材料的方法，所述方法包括：制备上表面具有多个PDMS凸起的图案化PDMS印章，并使所述多个PDMS凸起以预设图案的样式排布；在薄膜衬底上生长连续的单层二维TMDs薄膜；将所述单层二维TMDs薄膜转印到所述PDMS凸起的上表面，得到图案化单层二维TMDs薄膜；将所述图案化单层二维TMDs薄膜转移到目标衬底上，得到图案化单层二维材料。通过所述方法转印图案化单层二维材料解决了现有技术二维材料图案化和转移二维材料流程复杂、成本高昂、耗时长的问题。

公开(公告)号：CN119894124A

公开(公告)日：2025-04-25

申请号：CN202510029153.7

申请日：2025-01-08

Applicant: 广州光电存算芯片融合创新中心 ,  复旦大学

Inventor： 许宁生 ,  朱正瑞 ,  邓少芝

IPC: H10F30/24 ,  H10F71/00

Abstract: 本发明公开了一种二维叠层泛光谱敏感光波段探测器及其制备方法。该探测器包括衬底接触、衬底、绝缘层、第一叠层、第二叠层、第三叠层、发射极、基极、集电极，所述绝缘层叠设于衬底上，所述发射极、基极、集电极依次设置于所述绝缘层背离衬底的一侧，且所述发射极、基极、集电极分别与第三叠层、第二叠层、第一叠层接触，所述发射极、基极、集电极配置偏置电压，偏置电压由两个电压源产生，两个电压源以所述发射极、基极、集电极任意一个电极作为共同接地点，向剩余两个电极分别配置两个偏置电压。本发明的二维叠层泛光谱敏感光波段探测器为片上集成结构，具有微型、低功耗、宽带探测的特点。