3-5μm硅锗/硅异质结内发射红外探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN1137521C

    公开(公告)日:2004-02-04

    申请号:CN01113204.3

    申请日:2001-06-29

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 张翔九 胡际璜

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明属红外探测器技术领域,具体为一种3-5μm SiGe/Si异质结内发射红外探测器。其中的红外探测窗口为由分子束外延生长的Si1-xGex/Si异质结材料。该红外探测器工作波段为3-5μm,工作温度为80K,最高可达到105K,具有良好的性能。例在室温环境中可以用液态氮作致冷剂进行工作,而在太空中(温度为105K)则不需要任何制冷剂而工作;探测器还具有高的黑体响应率和黑体探测率;可采用大尺寸硅片研制;成品率高,均匀性好,适宜于制作大规模红外探测器焦平面阵列;有优越的性能价格比。

    硅红外探测器
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1116705A

    公开(公告)日:1996-02-14

    申请号:CN94113941.7

    申请日:1994-10-14

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 王迅 叶令 胡际璜

    Abstract: 本发明是一种硅红外探测器,它为以硅片为衬底,用δ-掺杂方法制备其能带呈锯齿形调制的超晶格,选择适当的掺杂浓度和掺杂周期,以控制调制深度,使有效带隙调节到需要的数值附近,如0.1ev、0.3ev、0.8ev等,获得相应波长段的Si带间跃迁型的远红外探测器。本红外探测器可与Si读出电路集成,也易于构成大面积的红外焦平面列阵,探测波长可调。可广泛应用于光纤、通讯、探伤、诊断、跟踪、导航等医疗、空间、军事、民用等领域的红外及远红外探测。

    3-5μm硅锗/硅异质结内发射红外探测器及其制备方法

    公开(公告)号:CN1323068A

    公开(公告)日:2001-11-21

    申请号:CN01113204.3

    申请日:2001-06-29

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 张翔九 胡际璜

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明属红外探测器技术领域,具体为一种3-5μm SiGe/Si异质结内发射红外探测器。其中的红外探测窗口为由分子束外延长的Si1-xGex/Si异质结材料。该红外探测器工作波段为3-5μm,工作温度为80K,最高可达到105K,具有良好的性能。例在室温环境中可以用液态氮作致冷剂进行工作,而在太空中(温度为105K)则不需要任何制冷剂而工作;探测器还具有高的黑体响应率和黑体探测率;可采用大尺寸硅片研制;成品率高,均匀性好,适宜于制作大规模红外探测器焦平面阵列;有优越的性能价格比。

    一种红外探测器用的硅锗/硅异质结材料

    公开(公告)号:CN1133216C

    公开(公告)日:2003-12-31

    申请号:CN01113205.1

    申请日:2001-06-29

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 张翔九 胡际璜

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明属于红外探测器技术领域,具体为一种红外探测器的SiGe/Si异质结材料,其中SiGe的组份为:Si1-xGex,0.45≤x≤0.55。该材料的工作波段为3-5μm,工作温度大于80K,最高可达105K.由此制作的红外探测器,具有良好的性能。例如,在室温环境中可用液氮作致冷剂工作,在太空中(环境温度为105K)不需任何制冷剂就可以工作。该探测器适宜于制作大规模的红外探测器焦平面阵列等。

    一种红外探测器用的硅锗/硅异质结材料

    公开(公告)号:CN1324115A

    公开(公告)日:2001-11-28

    申请号:CN01113205.1

    申请日:2001-06-29

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 张翔九 胡际璜

    CPC classification number: Y02P70/521

    Abstract: 本发明属于红外探测器技术领域,具体为一种红外探测器的SiGe/Si异质结材料,其中SiGe的组份为:Si1-xGex,0.45≤x≤0.55。该材料的工作波段为3-5μm,工作温度大于80K,最高可达105K。由此制作的红外探测器,具有良好的性能。例如,在室温环境中可用液氮作致冷剂工作,在太空中(环境温度为105K)不需任何制冷剂就可以工作。该探测器适宜于制作大规模的红外探测器焦平面阵列等。

    一种新型结构的硅太阳能电池

    公开(公告)号:CN2585419Y

    公开(公告)日:2003-11-05

    申请号:CN02288229.4

    申请日:2002-12-12

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 张翔九 胡际璜

    CPC classification number: Y02E10/50

    Abstract: 本实用新型为一种新型结构的硅太阳能电池,由硅衬底、n型材料和金属电极引线构成,其中,n+区与p+区设计成梳状交叉的结构形式,使P区被n+区部分覆盖。此结构中,由n+区与衬底构成一个纵向的p-n结,在硅片表面横向形成一个n+-p-p+结。试验证明,本结构的太阳能电池具有更高的效率。

    硅锗/硅异质结内发射红外探测器

    公开(公告)号:CN2480823Y

    公开(公告)日:2002-03-06

    申请号:CN01246269.1

    申请日:2001-06-29

    Applicant: 复旦大学

    Inventor: 张翔九 胡际璜

    Abstract: 本实用新型属红外探测器技术领域,具体为一种3—5μmSiCe/Si异质结内发射红外探测器。其中的红外探测窗口为由分子束外延长的Si1—xGex/Si异质结材料。该红外探测器工作波段为3-5μm,工作温度为80K,最高可达到105K,具有良好的性能。例在室温环境中可以用液态氮作致冷剂进行工作,而在太空中(温度为105K)则不需要任何制冷剂而工作;探测器还具有高的黑体响应率和黑体探测率;可采用大尺寸硅片研制;成品率高,均匀性好,适宜于制作大规模红外探测器焦平面阵列;有优越的性能价格比。

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