公开(公告)号：CN106252455B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201610824052.X

申请日：2016-09-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 胡凯 ,  滕凤 ,  张之明 ,  方晓生

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于光电器件技术领域，具体为一种自驱动Se/ZnO异质结紫外光电探测器及其制备方法。本发明采用旋涂‑高温退火的方法，制备得到大面积的厚度在50‑200nm之间，结晶度良好的ZnO纳米颗粒薄膜；然后采用热蒸发转移的方法，在ZnO纳米薄膜上沉积一层厚度在1‑2μm的Se膜；然后将得到Se/ZnO异质结双层薄膜构筑成光电探测器。Se/ZnO异质结光电探测器具有在零偏压下工作的自驱动特性，良好的紫外光选择性和毫秒级的响应时间。该器件解决了传统的基于ZnO紫外光电探测器响应速度慢的缺点，制备工艺简单，可以应用于紫外光检测及其相关领域中。

公开(公告)号：CN106252455A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610824052.X

申请日：2016-09-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 胡凯 ,  滕凤 ,  张之明 ,  方晓生

IPC: H01L31/109 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/109 ,  H01L31/032 ,  H01L31/18

Abstract: 本发明属于光电器件技术领域，具体为一种自驱动Se/ZnO异质结紫外光电探测器及其制备方法。本发明采用旋涂-高温退火的方法，制备得到大面积的厚度在50-200nm之间，结晶度良好的ZnO纳米颗粒薄膜；然后采用热蒸发转移的方法，在ZnO纳米薄膜上沉积一层厚度在1-2μm的Se膜；然后将得到Se/ZnO异质结双层薄膜构筑成光电探测器。Se/ZnO异质结光电探测器具有在零偏压下工作的自驱动特性，良好的紫外光选择性和毫秒级的响应时间。该器件解决了传统的基于ZnO紫外光电探测器响应速度慢的缺点，制备工艺简单，可以应用于紫外光检测及其相关领域中。